[发明专利]关闭机构真空腔室隔离装置和子系统

说明书

本公开总体涉及一种用于处理系统中的隔离装置。所述隔离装置包括主体，所述主体具有从中穿过而形成的流孔。在一个实施方式中，所述隔离装置设置在远程等离子体源与工艺腔室之间。关闭机构可枢转地设置在所述主体内。所述关闭机构可以被致动以启用或禁用在所述远程等离子体源与所述工艺腔室之间的流体连通。在一个实施方式中，所述关闭机构包括轴和耦接到所述轴的密封板。横臂耦接到与所述密封板相对的所述轴。所述横臂被配置为选择性地旋转所述关闭机构的所述轴和所述密封板。

背景技术

技术领域

本公开的实施方式总体涉及一种用于处理系统中的隔离装置。

相关技术描述

在微电子器件(诸如半导体器件)的制造中，气源向工艺腔室的工艺容积中供应工艺气体。另外地，在一些工艺腔室或工艺应用中，使用远程等离子体源向其中在衬底上实行工艺的工艺腔室提供气体自由基、气体离子或这两者，或向所述工艺腔室提供气体自由基、气体离子或这两者以从其内表面清除沉积物。远程等离子体源一般通过穿过工艺腔室的主体设置的端口来连接到工艺腔室。为了将远程等离子体源与工艺腔室隔离，在远程等离子体源与工艺腔室之间设置隔离装置，诸如阀。在利用远程等离子体源向工艺腔室的工艺容积中供应气体自由基、气体离子或这两者的操作期间，隔离装置移动到打开位置，以允许工艺腔室的工艺容积与远程等离子体源之间的流体连通。在完成处理操作之后，隔离装置移动到关闭位置，由此将远程等离子体源与工艺腔室的工艺容积隔离。

其中在远程等离子体源与端口之间的流线中利用简单的阀的常规的远程等离子体源隔离装置通常遭受因密封机构暴露于来自远程等离子体源或源自暴露于在工艺腔室的工艺容积中的工艺化学物质的气体自由基、气体离子或这两者而使其密封机构退化。同样地，一些工艺气体对密封材料有腐蚀性或侵蚀性，并且当暴露于这些气体时，传统的阀可能需要频繁维修。因此，需要频繁维护以修理或更换密封机构来维持功能性。这些维护操作通常涉及工艺腔室的长时间停机，从而造成工艺腔室的利用率降低。

发明内容

在本公开的一个实施方式中，提供了一种隔离装置。所述隔离装置包括主体，所述主体具有从中穿过而形成的流孔开口。关闭机构可枢转地设置在所述主体内。所述关闭机构包括轴和耦接到所述轴的密封板。横臂耦接到与所述密封板相对且在所述主体的外部的所述轴。所述横臂被配置为选择性地旋转所述关闭机构的所述轴和所述密封板。

在本公开的另一个实施方式中，提供了一种隔离装置。所述隔离装置包括主体，所述主体具有从中穿过而形成的第一流孔。下部板耦接到所述主体并且所述第二流孔穿过所述下部板形成。所述第一流孔的中心轴线与所述第二流孔的中心轴线基本上对准。覆盖板耦接到所述主体。所述覆盖板包括从中穿过而形成的开口。所述开口平行于所述第一流孔和所述第二流孔。密封板容积至少部分地由所述主体、所述下部板和所述覆盖板限定。轴穿过所述覆盖板中的所述开口设置。密封板设置在所述密封板容积中。所述轴刚性地耦接到所述密封板的第一表面。所述密封板围绕所述轴的轴线旋转。当所述密封板关闭时，所述密封板覆盖所述第一流孔和所述第二流孔。

在又一个实施方式中，提供了一种用于处理衬底的系统。所述系统包括远程等离子体源、工艺腔室和隔离装置，所述隔离装置设置在所述远程等离子体源与所述工艺腔室之间并耦接到所述远程等离子体源和所述工艺腔室。所述隔离装置包括主体，所述主体具有从中穿过而形成的第一流孔。下部板耦接到所述主体。第二流孔穿过所述下部板形成。所述第一流孔的中心轴线与所述第二流孔的中心轴线基本上对准。覆盖板耦接到所述主体，并且开口穿过所述覆盖板形成。所述开口平行于所述第一流孔和所述第二流孔。密封板容积至少部分地由所述主体、所述下部板和所述覆盖板限定；轴穿过所述覆盖板中的所述开口设置。密封板设置在所述密封板容积中并且具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述轴刚性地耦接到所述密封板的所述第一表面，所述密封板被配置为围绕所述轴的轴线旋转。当所述密封板关闭时，所述密封板覆盖所述第一流孔和所述第二流孔。

附图说明