[发明专利]用于发光器件中高效电子和空穴阻挡的应力ALGAINP层

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

电子阻挡层，其中所述电子阻挡层的至少一部分被布置为具有拉伸应力；

空穴阻挡层，其中所述空穴阻挡层的至少一部分被布置为具有压缩应力；以及

有源层，设置在所述空穴阻挡层和所述电子阻挡层之间。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述空穴阻挡层具有表示为（Al_xGa_（1-x））_1-yIn_yP的组分，其中0.4≤x≤1且0.49≤y≤0.7。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电子阻挡层由来自AlGaInP体系的第一材料形成，并且所述空穴阻挡层由来自AlGaInP体系的第二材料形成，所述第二材料具有比所述第一材料更大的铟比例。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中：

所述空穴阻挡层包括第一n型层和第二n型层，

所述第一n型层是没有应力的，并且

所述第二n型层是压缩应力的。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一n型层具有表示为（Al_xGa_（1-x））_1-yIn_yP的组分，其中0.4≤x≤1且y＝0.49。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述空穴阻挡层具有表示为（Al_xGa_（1-x））_1-yIn_yP的组分，其中0.4≤x≤1且0.49≤y≤0.7。

7.一种发光器件，包括：

电子阻挡层；

空穴阻挡层，其中，所述空穴阻挡层的至少一部分被布置为具有压缩应力；以及

有源层，设置在所述空穴阻挡层和所述电子阻挡层之间，所述有源层包括被布置为具有拉伸应力的第一阻隔层、被布置为具有拉伸应力的第二阻隔层、以及设置在所述第一阻隔层和所述第二阻隔层之间的阱层。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电子阻挡层具有表示为（Al_xGa_（1-x））_1-yIn_yP的组分，其中0.4＜x＜1且0.2＜y＜0.7。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中：

所述电子阻挡层包括第一p型层和第二p型层，

所述第一p型层是没有应力的，并且

所述第二p型层被布置为具有拉伸应力。

10.根据权利要求1所述的发光器件，还包括GaAs衬底，其中：

所述空穴阻挡层、所述电子阻挡层以及所述有源层形成在所述GaAs衬底的相同侧上，并且所述空穴阻挡层、所述电子阻挡层以及所述有源层中的每一个由来自AlGaInP体系的相应材料形成。

11.一种发光器件，包括：

电子阻挡层，其中所述电子阻挡层的至少一部分被布置为具有拉伸应力；

空穴阻挡层，其中所述空穴阻挡层的至少一部分被布置为具有压缩应力；以及

有源层，形成在所述空穴阻挡层和所述电子阻挡层之间，所述有源层包括至少一个阱结构，所述阱结构包括被布置为具有拉伸应力的第一阻隔层、被布置为具有拉伸应力的第二阻隔层、以及设置在所述第一阻隔层和所述第二阻隔层之间的阱层，

其中，所述电子阻挡层是所述发光器件的上限制层和所述发光器件的下限制层中的一个的一部分，并且

其中，所述空穴阻挡层是所述发光器件的上限制层和所述发光器件的下限制层中的另一个的一部分。