[发明专利]用于发光器件中高效电子和空穴阻挡的应力ALGAINP层

说明书

公开了一种发光器件。该发光器件包括电子阻挡层，其中，该电子阻挡层的至少一部分被布置为具有拉伸应力，空穴阻挡层，其中，该空穴阻挡层的至少一部分被布置为具有压缩应力，以及设置在该空穴阻挡层和电子阻挡层之间的有源层。

相关申请的交叉引用

本申请要求在2017年7月28日提交的美国专利申请号15/662,952和在2018年1月18日提交的欧洲专利申请号18152290.5的权益，其内容通过引用并入本文。

背景技术

本公开涉及发光器件，并且更特别地涉及用于发光器件中高效电子和空穴阻挡的应力AlGaInP层。

发光二极管（“LED”）通常在各种应用中被用作光源。LED的主要功能部分可以是包括相反导电类型（p型和n型）的两个注入层和其中发生载流子注入的用于辐射复合的发光有源层的半导体芯片。注入层以及有源层的组分可以根据期望的波长变化。对于从红色到琥珀色可见波长中的光发射，可以使用来自（Al_xGa_1-x）_1-yIn_yP合金体系的材料。

发明内容

根据本公开的方面，公开了一种发光器件，该发光器件包括电子阻挡层、空穴阻挡层、以及设置在空穴阻挡层和电子阻挡层之间的有源层。发光器件可以由来自（Al_xGa_1-x）_1-yIn_yP合金体系的材料和/或任何其他合适类型的材料形成。在一些实施方式中，空穴阻挡层的至少一部分可以被布置为具有压缩应力。附加地或可替代地，在一些实施方式中，有源层可以设置有至少一个阱结构，该阱结构包括：被布置为具有拉伸应力的第一阻隔层、被布置为具有拉伸应力的第二阻隔层以及设置在第一阻隔层和第二阻隔层之间的阱层。

附图说明

可以从以下结合附图以示例的方式给出的描述中得到更详细的理解，其中，附图中的相同附图标记表示相同元件，并且在附图中：

图1是根据本公开的方面的发光器件的示例的截面图；

图2是根据本公开的方面的图1的发光器件的能带图；

图3是根据本公开的方面的发光器件的示例的截面图；

图4是根据本公开的方面的图3的发光器件的能带图；

图5是根据本公开的方面的发光器件的示例的截面图；

图6是根据本公开的方面的发光器件的示例的截面图；并且

图7是根据本公开的方面的发光器件的示例的截面图。

具体实施方式

在下文中将参考附图更全面地描述不同发光二极管（“LED”）实施方式的示例。这些示例并不是互相排斥的，并且在一个示例中发现的特征可以与一个或多个其他示例中发现的特征相组合以实现另外的实施方式。因此，将理解的是，附图中示出的示例仅为图示的目的而提供，并且它们不意图以任何方式限制本公开。相同的数字始终指代相同的元件。

将理解的是，尽管术语第一、第二等在本文中可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本说明书的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的列出项目中的一个或多个的任一组合和全部组合。