[发明专利]电荷捕获结构中的空隙形成

权利要求书

1.一种设备，其包括：

半导体柱，其可用于传导电流；

电荷捕获区，其通过隧道区与所述半导体柱分隔开；

介电阻隔区，其邻接于所述电荷捕获区；

栅极，其邻接于所述介电阻隔区且可用于控制电荷在所述电荷捕获区中的存储；及

介电屏障，其在所述介电阻隔区与所述栅极之间且使所述介电阻隔区与所述栅极分隔开，其中所述半导体柱、所述隧道区、所述电荷捕获区、所述介电阻隔区、所述介电屏障及所述栅极为电荷捕获结构的部分，且所述电荷捕获区通过空隙与其上安置有所述电荷捕获结构的区分隔开。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电荷捕获区与其上安置有所述电荷捕获结构的所述区之间的距离大于所述介电阻隔区与其上安置有所述电荷捕获结构的所述区之间的距离。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述介电阻隔区与其上安置有所述电荷捕获结构的所述区之间的所述距离大于所述介电屏障与其上安置有所述电荷捕获结构的所述区之间的距离。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述介电屏障包含氧化铝。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述介电屏障包含具有比氧化铝的介电常数大的介电常数的介电材料。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述介电屏障在所述介电阻隔区与所述栅极之间具有在约15埃至约50埃的范围内的厚度。

7.一种存储器装置，其包括：

存储器单元的竖直串，其包含半导体材料的竖直柱；及

沿所述竖直串布置的多个电荷捕获结构，其包含第一电荷捕获结构，所述多个电荷捕获结构以竖直堆叠布置，其中除了所述第一电荷捕获结构以外，每一电荷捕获结构安置于所述多个电荷捕获结构中的另一者上方，每一电荷捕获结构包含：

所述半导体材料，其可用作用于所述电荷捕获结构的沟道；

隧道区，其邻近且接触所述半导体材料；

电荷捕获区，其邻近且接触所述隧道区；

介电阻隔区，其邻近且接触所述电荷捕获区，所述电荷捕获区通过空隙与所述竖直堆叠中的邻近电荷捕获结构的所述电荷捕获区分隔开；及

介电屏障，其在所述电荷捕获结构的所述介电阻隔区与栅极之间且使所述介电阻隔区与所述栅极分隔开。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中每一电荷捕获结构的所述介电屏障与每一电荷捕获结构的所述电荷捕获区及所述介电阻隔区一起布置，使得所述电荷捕获区与其上安置有所述电荷捕获结构的所述区之间的距离大于所述介电阻隔区与其上安置有所述电荷捕获结构的所述区之间的距离。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述介电阻隔区与其上安置有所述电荷捕获结构的所述区之间的所述距离大于所述介电屏障及/或所述栅极与其上安置有所述电荷捕获结构的所述区之间的距离。

10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述第一电荷捕获结构的所述隧道区沿半导体材料的所述竖直柱延伸且延伸通过其它电荷捕获结构作为所述串的每一电荷捕获结构的所述隧道区。

11.根据权利要求7所述的存储器装置，其中密封电介质安置在相邻电荷捕获结构的栅极之间以密封所述串的相邻电荷捕获区之间的所述空隙。

12.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述介电屏障包含氧化铝。

13.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述介电屏障包含具有比氧化铝的介电常数大的介电常数的介电材料。

14.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述电荷捕获区及所述介电阻隔区由材料构成，使得在制造中当所述介电阻隔区大致上不受蚀刻剂材料影响时，所述电荷捕获区能由所述蚀刻剂材料部分地移除。