[发明专利]电荷捕获结构中的空隙形成

说明书

电子设备及形成所述电子设备的方法可包含供在各种电子系统及装置中使用的一或多个电荷捕获结构，其中每一电荷捕获结构包含在所述电荷捕获结构的电荷捕获区上的栅极与阻隔电介质之间的介电屏障。在各种实施例中，空隙位于所述电荷捕获区与其上安置有所述电荷捕获结构的区之间。在各种实施例中，使电荷捕获区与电荷捕获结构的半导体柱分隔开的隧道区可经布置使得所述隧道区及所述半导体柱为空隙的边界。揭示了额外设备、系统及方法。

优先权申请案

本申请案主张2017年8月11日申请的序列号为15/675,265的美国申请案的优先权益，所述美国申请案的全文以引用的方式并入本文中。

背景技术

电子工业处于减小组件大小以及电力要求两者的恒定压力下，且具有改进存储器装置的操作的市场驱动需求。一种减小组件大小的方法为以三维(3D)配置制造装置。举例来说，存储器装置可经布置为竖直地在衬底上的存储器单元的堆叠。此类存储器单元可被实施为电荷捕获单元。对基于电荷捕获的存储器装置及其操作的改进可由存储器装置的设计及处理的发展解决。

附图说明

图1A为根据各种实施例的实例电荷捕获结构的横截面表示。

图1B为根据各种实施例的图1A的实例电荷捕获结构的空隙结构的实例的表示。

图2A为根据各种实施例的实例电荷捕获结构的横截面表示。

图2B为根据各种实施例的图2A的实例电荷捕获结构的空隙结构的实例的表示。

图3为根据各种实施例的三维存储器装置的存储器阵列的块架构及页地址映射的实例的示意图。

图4为根据各种实施例的存储器装置的竖直串中的多个电荷捕获结构的实例的横截面表示。

图5为根据各种实施例的存储器装置的竖直串中的多个电荷捕获结构的实例的横截面表示。

图6为根据各种实施例的形成电荷捕获结构的实例方法的特征的流程图。

图7为根据各种实施例的在堆叠中形成多个电荷捕获结构的实例方法的特征的流程图。

图8为根据各种实施例的在堆叠中形成多个电荷捕获结构的实例方法的特征的流程图。

图9A至9R为根据各种实施例绘示形成电荷捕获结构的实例方法的阶段的横截面图。

图10A至10D为根据各种实施例绘示形成电荷捕获结构的实例方法的阶段的横截面图。

图11为根据各种实施例的具有多个裸片的实例晶片的表示。

图12为根据各种实施例的实例系统的框图，所述实例系统包含用电荷捕获结构的阵列结构化为存储器单元的存储器。

具体实施方式

以下详细描述是指借助于实例绘示展示本发明的各种实施例的随附图式。以充足细节描述这些实施例以使得所属领域的一般技术人员实践这些及其它实施例。可利用其它实施例，且可对这些实施例进行结构、逻辑及电学改变。各种实施例未必相互排斥，这是因为一些实施例可与一或多个其它实施例组合以形成新实施例。因此，不应在限制性意义上看待以下详细描述。

如本文档中所使用的术语“水平”被定义为平行于衬底的常规平面或表面，例如在晶片或裸片下方的平面或表面，而不管衬底在任何时间点的实际定向。术语“竖直”是指垂直于如上文所定义的水平的方向。术语“晶片”及“衬底”在本文中通常用于是指集成电路形成于其上的任何结构，且还是指在集成电路制造的不同阶段期间的此类结构。晶片可包含多个裸片，集成电路相对于裸片的相应衬底安置在所述多个裸片中。