[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

玻璃衬底，在所述玻璃衬底的前表面上或前表面和后表面上形成有包含一层或多层布线的布线层；

电子组件，布置在形成于所述玻璃衬底上的开口内；以及

连接所述玻璃衬底的所述布线和所述电子组件的再分布层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，布线层未形成区域的开口宽度比在所述玻璃衬底上形成的开口的宽度宽，所述布线层未形成区域是在所述玻璃衬底的所述前表面上或所述前表面和所述后表面上未形成所述布线层的区域。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述玻璃衬底上形成的开口的除电子组件以外的区域至少填充有树脂。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，在所述电子组件的与形成有连接到所述再分布层的端子的表面相反的一侧的后表面侧，填充有热辐射传导材料。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中，所述布线层仅形成在所述玻璃衬底的所述前表面上，并且

所述热辐射传导材料被填充至达到所述玻璃衬底的所述后表面的高度。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中，所述布线层形成在所述玻璃衬底的所述前表面和所述后表面上，并且

所述热辐射传导材料填充至达到所述玻璃衬底的所述后表面上的布线层的高度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

在所述玻璃衬底的后表面侧的散热器。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

其中，所述散热器通过使用导电材料而形成，并且还用作接地端子。

9.根据权利要求1的半导体装置，

其中，在所述玻璃衬底上形成有多个开口，并且

所述电子组件布置在所述多个开口中的每个开口内。

10.根据权利要求1的半导体装置，

其中，通过使用所述布线层的所述布线来形成天线电路、滤波器电路以及无源元件中的至少一项。

11.根据权利要求1的半导体装置，

其中，所述电子组件是包括天线、滤波器、功率放大器、开关、低噪声放大器、移相器、混频器、锁相环以及无源元件中的至少任意一项的组件。

12.根据权利要求1的半导体装置，

其中，所述布线层仅形成在所述玻璃衬底的前表面侧，并且

在所述玻璃衬底的后表面侧还设置有分立组件。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述布线层形成在所述玻璃衬底的所述前表面和所述后表面上，并且

在所述玻璃衬底的后表面侧的所述布线层上还设置有半导体元件。

14.一种制造半导体装置的方法，包括：

在玻璃衬底的前表面上或前表面和后表面上形成包括一层或多层布线的布线层；

在所述玻璃衬底上形成开口，并将电子组件布置在所述开口内；以及

形成将所述玻璃衬底的所述布线连接到所述电子组件的再分布层。

15.根据权利要求14所述的制造半导体装置的方法，还包括：

形成覆盖所述玻璃衬底的所述前表面上的或所述前表面和所述后表面上的布线层的抗蚀剂；并且

在未形成所述抗蚀剂的区域中去除所述玻璃衬底，以在所述玻璃衬底上形成所述开口；

其中，形成在所述玻璃衬底上的所述开口的开口宽度比所述抗蚀剂的未形成区域的开口宽度宽。