[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本技术涉及：一种半导体装置，可以被改善，使得可以提高形成有布线层的玻璃衬底的可靠性；以及用于生产该半导体装置的方法。半导体装置设置有：具有一个或多个布线层的玻璃衬底，布线层包括在其前表面或前表面和后表面上形成的布线；电子组件，布置在形成于玻璃衬底中的玻璃开口内；以及重布线线路，将玻璃衬底的布线线路和电子组件彼此连接。本技术可应用于例如高频前端模块等。

技术领域

本技术涉及一种半导体装置及其制造方法，并且特别涉及一种能够提高其上形成有布线层的玻璃衬底的可靠性的半导体装置及其制造方法。

背景技术

在以移动装置为代表的最新电子装置中，除了不断要求安装在装置中的电子组件更小更薄之外，还需要应对伴随所使用元件的更高性能、更高功能以及通信速度和容量的增加而引起的信号频率的增加。

为了满足这些要求，已经开发了各种安装和封装技术。在这些技术中，例如，存在非专利文献1中公开的扇出晶片级封装(FO-WLP)。这是一种所谓的扇出型封装，其中，在裸芯片上形成的再分布层(RDL)延伸到芯片的外形之外。FO-WLP通过将常规晶片工艺中使用的薄膜布线工艺应用于再分布层工艺来实现小型化。期望FO-WLP实现其中多个芯片通过高密度布线连接的多芯片模块，并且与传统封装相比实现尺寸和厚度的显著减小。

形成FO-WLP的方法包括非专利文献1中公开的芯片优先系统，在该系统中，形成了其中裸芯片嵌入在模制树脂中的伪晶片并且在伪晶片上形成再分布层，和其中裸芯片倒装安装在先前形成的再分布层上的所谓的RDL优先系统；芯片优先系统占主导地位。特别地，对于处理高速和高频信号的封装，在裸芯片和再分布层之间的连接中没有凸块或导线的芯片优先系统结构对于抑制连接处的寄生电感和信号回波损耗是有效的。

然而，在该芯片优先系统中，即使裸芯片是优良产品，如果再分布层中存在缺陷部分，封装也会变得有缺陷。不良的再分布层形成的原因是通过使用模制树脂形成的伪晶片的翘曲，以及由于模制固化期间的收缩而导致的裸芯片位置偏移。特别地，在其中多个裸芯片相连接的多芯片模块中，除了晶片中的位置偏移之外，封装区域中的芯片之间的位置偏移也以复杂的方式发生。

对于这种情况，提出了一种所谓的芯片中间系统的技术，在保持封装的刚性的绝缘基材上形成至少一层布线，然后在形成有布线的绝缘基材上开通通孔以埋入裸芯片，并形成再分布层(参考专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-213466号公报

非专利文献

非专利文献1：M.Brunnbauer et al.，“Embedded wafer level ball grid array(eWLB)”，2006，EPTC’06.8th

发明内容

本发明要解决的问题

专利文献1公开了热固性树脂、热塑性树脂、玻璃、陶瓷、塑料等作为维持封装的刚性的绝缘基材的实例。但是，在使用玻璃作为绝缘基材的情况下，在作为脆性材料的玻璃上开通通孔时，容易发生破损。

考虑到这种情况来实现本技术，并且本技术的目的是提高其上形成有布线层的玻璃衬底的可靠性。

问题的解决方案

根据本技术的第一方面的半导体装置设置有：玻璃衬底，在玻璃衬底的前表面上或前表面和后表面上形成有包含一层或多层布线的布线层；电子组件，布置在形成于玻璃衬底上的开口内；以及连接玻璃衬底的布线和电子组件的再分布层。

在本技术的第一方面，设置了：玻璃衬底，在玻璃衬底的前表面上或前表面和后表面上形成有包含一层或多层布线的布线层；电子组件，布置在形成于玻璃衬底上的开口内；以及连接玻璃衬底的布线和电子组件的再分布层。