[发明专利]用于3D NAND可扩展性的多层堆叠

权利要求书

1.一种存储器器件制造方法，包括：

在交替的绝缘体层和存储器单元层的堆叠中形成孔，其中所述绝缘体层包括设置在多个第一氧化物材料层之间的第二氧化物材料层；

去除每个存储器单元层的第一部分以形成多个第一空腔；

在所述多个第一空腔中沉积电荷阱材料；

去除每个存储器单元的第二部分以形成多个第二空腔；

在所述第二空腔中的每个内形成控制栅极；以及

去除所述第二氧化物材料层以形成气隙。

2.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述电荷阱材料包括：

在所述第一空腔的表面和所述绝缘体层的边缘表面上沉积所述电荷阱材料；以及

去除所述电荷阱材料以将所述第一空腔中的每个中的所述电荷阱材料与相邻的第一空腔中的所述电荷阱材料电分离。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述去除所述第二氧化物材料层包括执行各向同性蚀刻工艺以暴露沉积在所述绝缘体层的所述边缘表面上的栅极氧化物层的表面和设置在所述第一空腔中的所述电荷阱材料。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述存储器单元层包括牺牲层。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述牺牲层选自由多晶硅材料、氮化硅材料和氧化物材料组成的组。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述牺牲层包括砷掺杂的多晶硅材料。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述多个第一氧化物材料层包括二氧化硅。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述第二氧化物材料层包括高湿法蚀刻速率氧化物材料。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述高湿法蚀刻速率氧化物材料选自由拉伸氧化物材料、硼掺杂的氧化物材料、磷掺杂的氧化物材料和硼磷硅酸盐玻璃材料组成的组。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述多个第一氧化物材料层中的每个的厚度和所述第二氧化物材料层的厚度为约10nm或更小。

11.一种存储器器件制造方法，包括：

在交替的绝缘体层和存储器单元层的堆叠中形成孔，其中所述绝缘体层包括设置在多个氧化物材料层之间的氮化物材料层；

去除每个存储器单元层的第一部分以形成多个第一空腔；

在所述多个第一空腔中沉积电荷阱材料；

去除每个存储器单元的第二部分以形成多个第二空腔；

在所述第二空腔中的每个内形成控制栅极；以及

去除所述氮化物材料层以在所述多个氧化物材料层之间形成气隙。

12.如权利要求11所述的方法，其中沉积所述电荷阱材料包括：

在所述第一空腔的表面和所述绝缘体层的边缘表面上沉积所述电荷阱材料；以及

去除所述电荷阱材料以将所述第一空腔中的每个中的所述电荷阱材料与相邻的第一空腔中的所述电荷阱材料电分离。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述去除所述氮化物材料层包括执行各向同性蚀刻工艺以暴露沉积在所述绝缘体层的所述边缘表面上的栅极氧化物层的表面和设置在所述第一空腔中的所述电荷阱材料。

14.一种三维NAND器件，包括：

第一存储器单元，所述第一存储器单元耦接到栅极氧化物层；

第二存储器单元，所述第二存储器单元耦接到所述栅极氧化物层；

气隙，所述气隙设置在所述第一存储器单元与所述第二存储器单元之间；以及

氧化物材料层，所述氧化物材料层设置在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的与所述气隙相邻的表面上。

15.如权利要求14所述的器件，其中所述气隙的厚度为约10nm或更小。