[发明专利]图案化过程的优化流程

权利要求书

1.一种用于改善光刻过程的方法，所述光刻过程使用包括照射系统和投影光学装置的光刻设备将图案形成装置图案的一部分成像至衬底上，所述方法包括：

获得对由所述投影光学装置对辐射的投影进行模型化的模拟模型，其中所述模拟模型模型化所述投影光学装置中的遮蔽的效应；和

基于所述模拟模型并通过硬件计算机，对所述图案形成装置图案的所述部分进行配置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述模拟模型考虑横跨由所述光刻设备产生的曝光窗口的遮蔽的变化。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述配置还考虑变形制造规则或变形制造规则比率。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述模拟模型模型化由所述投影光学装置赋予辐射的变形缩小率。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述模拟模型还考虑配置所述图案形成装置图案所针对的图案形成装置的形貌。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述模拟模型还考虑配置所述图案形成装置图案所针对的图案形成装置的散焦。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括对所述图案形成装置图案进行配置，其中所述图案形成装置图案的所述部分的所有部位处的透射率不限于多个离散值。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括基于所述模拟模型，对用于照射所述图案形成装置图案的照射模式的参数进行配置。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述照射模式的参数包括所述光刻过程的光学剂量。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括在照射模式形状能够具有自由形式的形状和/或参数形状的条件下对所述照射模式的照射形状进行配置，和/或

其中，所述照射模式形状具有自由形式的形状，并且还包括将所述照射模式的被配置的自由形式的形状映射至离散的照射形状。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述模拟模型模型化被设计成投影极紫外辐射的反射式投影光学装置。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述投影光学装置的数值孔径大于约0.33。

13.根据权利要求1所述的方法，其中对所述图案形成装置图案的所述部分进行配置包括将一个或更多个辅助特征放置至所述部分中。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述辅助特征包括子分辨率辅助特征、可印制的分辨率辅助特征或它们的组合。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模拟模型被配置成通过使用阿贝公式或霍普金公式来计算空间图像。