[发明专利]图案化过程的优化流程在审
申请号: | 201880066747.3 | 申请日: | 2018-10-05 |
公开(公告)号: | CN111213090A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 段福·史蒂芬·苏 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24;G03F1/36;G03F1/70;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 闫红 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 过程 优化 流程 | ||
一种用于改善光刻过程的方法,所述光刻过程用于使用具有照射系统和投影光学装置的光刻投影设备将图案形成装置图案的一部分成像至衬底上,所述方法包括:(1)获得对由所述投影光学装置对辐射的投影进行模型化的模拟模型,其中所述模拟模型模型化所述投影光学装置中的遮蔽的效应;和基于所述模拟模型,对所述图案形成装置图案的所述部分进行配置,和/或(2)获得对由投影光学装置对辐射的投影进行模型化的模拟模型,其中所述模拟模型模型化由所述投影光学装置产生的辐射的变形缩小率,和在考虑变形制造规则或变形制造规则比率的情况下,基于所述模拟模型对所述图案形成装置图案的所述部分进行配置。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年10月11日提交的美国申请62/571,208的优先权,该美国申请通过引用全文并入本文。
技术领域
本文的描述涉及图案化设备和过程,更具体地涉及一种用于优化图案化过程的方面的方法或工具,所述图案化过程的方面诸如用于在图案化过程的光刻设备或过程中使用的照射模式和/或图案形成装置图案。
背景技术
光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备能够例如用于诸如集成电路(IC)之类的器件的制造中。在这种情况下,图案形成装置(例如,掩模或掩模版)可以用于产生对应于器件的单层的图案,并且这一图案能够通过诸如经由图案形成装置上的图案辐照具有例如辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底上(例如硅晶片)的目标部分(例如包括管芯的部分、一个或几个管芯)而被转印到所述目标部分上。一般而言,单个衬底将包括被光刻设备连续地、一次一个目标部分地将图案转印到其上的多个相邻目标部分。在一种类型的光刻设备中,整个图案形成装置上的图案被一次转印到一个目标部分上;这样的设备通常称作为步进器。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中,投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描,同时沿与所述参考方向平行或反向平行的方向同步移动衬底。图案形成装置上的图案的不同部分被逐步地转印到一个目标部分上。因为通常光刻投影设备将具有放大因数M(通常>1),所以衬底被移动的速度F将是投影束扫描图案形成装置的速度的因数M倍。关于本公开描述的光刻装置的更多信息可以从例如US 6,046,792中搜集到,该文献通过引用全文并入本文。
在将图案从图案形成装置转印至衬底之前,衬底可能经历各种工序,诸如涂底料、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后,衬底可能经历其它工序,诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及对所转印的图案的测量/检查。这一系列的工序被用作为制造器件(例如IC)的单个层的基础。之后衬底可能经历各种过程,诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等,所有的这些过程都旨在最终完成器件的单个层。如果器件需要多个层,则针对每一层重复整个工序或其变形。最终,器件将存在于衬底上的每一目标部分中。之后通过诸如切片或锯割等技术,使这些器件彼此分离,据此单个器件可以安装在载体上,连接至引脚等。
因此,制造器件(诸如半导体器件)典型地涉及使用多个制作过程处理衬底(例如,半导体晶片),以形成所述器件的各种特征和多个层。这些层和特征典型地使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光、离子注入来制造和处理。可以在衬底上的多个管芯上制作多个器件,之后将它们分离成单个器件。这种器件制造过程可被认为是图案化过程。图案化过程涉及使用光刻设备中的图案形成装置的图案化步骤,诸如光学和/或纳米压印光刻术,以将图案形成装置上的图案转印到衬底上,而且图案化过程典型地但可选地涉及一个或更多个相关的图案处理步骤,诸如通过显影设备进行抗蚀剂显影、使用焙烤工具来焙烤衬底、使用蚀刻设备而使用的图案进行蚀刻等。
如所提及的,光刻术是制造器件(诸如IC)中的核心步骤,其中,形成于衬底上的图案限定IC的功能元件,诸如微处理器、存储器芯片等。类似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(MEMS)和其它器件。
发明内容
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备