[发明专利]交联性弹性体组合物和氟橡胶成型品有效
申请号: | 201880067141.1 | 申请日: | 2018-10-17 |
公开(公告)号: | CN111212874B | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 平野诚一;野口刚 | 申请(专利权)人: | 大金工业株式会社 |
主分类号: | C08L27/18 | 分类号: | C08L27/18;C08K3/34;C08L101/12 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孟伟青;褚瑶杨 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 交联 弹性体 组合 氟橡胶 成型 | ||
本发明的目的在于提供一种交联性弹性体组合物,其在特定条件下的等离子体照射后的重量减少率与颗粒产生量、以及高温下的压缩永久变形小。本发明涉及一种交联性弹性体组合物,其含有交联性弹性体、和表面被氧化的非氧化物系陶瓷。另外涉及一种氟橡胶成型品,其在下述条件下的O2等离子体照射后的重量减少率为2.5质量%以下,颗粒产生量为0.05质量%以下,NF3等离子体照射后的重量减少率为1.8质量%以下,颗粒产生量为0.05质量%以下,300℃、70小时下的压缩永久变形为50%以下。记样品:O型圈(AS‑568A‑214)测定方法:(1)O2等离子体等离子体照射装置:ICP高密度等离子体装置(Samco Inc.制造RIE‑101iPH型)照射条件气体流量:16SCCM RF输出功率:400Wh压力:2.66Pa蚀刻时间:30分钟温度:100℃全氟弹性体(非填料)的蚀刻速度相当于的条件。(2)NF3等离子体等离子体照射装置:ICP高密度等离子体装置(Samco Inc.制造RIE‑101iPH型)照射条件气体流量:16SCCM RF输出功率:400Wh压力:10Pa蚀刻时间:4小时温度:200℃硅晶片热氧化膜(SiO2)的蚀刻速度相当于的条件。
技术领域
本发明涉及交联性弹性体组合物和氟橡胶成型品。
背景技术
CVD、Ercher等半导体制造装置中使用的部件需要对制造工序中暴露的NF3等离子体处理和O2处理具有耐性。作为构成这种部件的组合物,在专利文献1中,已知含有交联性含氟弹性体和SiO2的组合物。另外,在专利文献2中,已知含有交联性含氟弹性体和堆积密度为0.15g/cm3以下的碳化硅颗粒的组合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2005/17017号
专利文献2:日本特表2012-509975号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的目的在于提供一种交联性弹性体组合物,其在特定条件下的等离子体照射后的重量减少率与颗粒产生量、以及高温下的压缩永久变形小。
用于解决课题的手段
本发明人对特定条件下的等离子体照射后的重量减少率与颗粒产生量、以及高温下的压缩永久变形进行了各种研究,结果发现,通过使用表面被氧化的非氧化物系陶瓷填料能够得到改善,由此完成了本发明。
即,本发明涉及一种交联性弹性体组合物,其含有交联性弹性体、和表面被氧化的非氧化物系陶瓷填料。
非氧化物系陶瓷填料优选为碳化硅。
非氧化物系陶瓷填料的平均粒径优选为0.1μm以下。
上述交联性弹性体优选为四氟乙烯与全氟(烷基乙烯基醚)的共聚物。
另外,本发明涉及一种氟橡胶成型品,其在下述条件下的O2等离子体照射后的重量减少率为2.5质量%以下,颗粒产生量为0.05质量%以下,
NF3等离子体照射后的重量减少率为1.8质量%以下,颗粒产生量为0.05质量%以下,
300℃、70小时下的压缩永久变形为50%以下。
记
样品:O型圈(AS-568A-214)
测定方法:
(1)O2等离子体
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