[发明专利]试料保持器具有效
| 申请号： | 201880067290.8 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111213230B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 古川直树 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 肖茂深 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保持 器具 | ||
1.一种试料保持器具，其具备：
基体，其具有陶瓷，并在上表面具有试料保持面；
支承体，其具有金属，且上表面覆盖所述基体的下表面；以及
第一接合层，其将所述基体的下表面与所述支承体的上表面接合，
所述试料保持器具具有第一贯通孔，所述第一贯通孔从所述支承体的下表面穿过所述第一接合层而贯通到所述基体的上表面，并且所述第一贯通孔在所述基体中的至少一部分中比在所述支承体中以及所述第一接合层中细，
所述试料保持器具具备多孔质构件，所述多孔质构件位于所述第一贯通孔的内部，并经由第二接合层而接合于所述基体的下表面。
2.根据权利要求1所述的试料保持器具，其中，
所述基体中的所述第一贯通孔具有位于所述基体的下表面的第一凹部以及在所述第一凹部的底面和所述基体的上表面开口的第二贯通孔，并且所述多孔质构件接合于所述第一凹部的底面。
3.根据权利要求1或2所述的试料保持器具，其中，
所述试料保持器具还具备绝缘性的筒状构件，所述筒状构件位于所述第一贯通孔的内部，且覆盖所述多孔质构件的下表面的一部分以及外周面的至少一部分，并且沿着所述第一贯通孔而延伸。
4.根据权利要求3所述的试料保持器具，其中，
在所述筒状构件中，与所述多孔质构件的下表面接触的面的内径比下端的内径大。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的试料保持器具，其中，
所述多孔质构件以及所述第二接合层具有第二凹部，所述第二凹部的内周面与所述第一贯通孔中的位于所述基体的部分连续。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的试料保持器具，其中，
所述试料保持器具还具有第三凹部，所述第三凹部从所述基体的所述上表面穿过所述第二接合层而延伸到所述多孔质构件。
7.根据权利要求3所述的试料保持器具，其中，
所述筒状构件的上端位于比所述多孔质构件的上表面靠上方的位置。
8.根据权利要求2所述的试料保持器具，其中，
所述多孔质构件的整体位于所述第一凹部的内部。
9.根据权利要求3所述的试料保持器具，其中，
所述多孔质构件与所述筒状构件分离地配置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社，未经京瓷株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
