[发明专利]试料保持器具

说明书

试料保持器具具备：基体，其具有陶瓷，并在上表面具有试料保持面；支承体，其具有金属，且上表面覆盖所述基体的下表面；以及第一接合层，其将所述基体的下表面与所述支承体的上表面接合，所述试料保持器具具有第一贯通孔，所述第一贯通孔从所述支承体的下表面穿过所述第一接合层而贯通到所述基体的上表面，并且所述第一贯通孔在所述基体中的至少一部分中比在所述支承体中以及所述第一接合层中细，所述试料保持器具具备多孔质构件，所述多孔质构件位于所述第一贯通孔的内部，并经由第二接合层而接合于所述基体的下表面。

技术领域

本发明涉及试料保持器具。

背景技术

作为用于半导体制造装置等的试料保持器具，例如，已知有日本特表2015-517225号公报(以下，设为专利文献1)所记载的静电夹紧件。专利文献1所记载的静电夹紧件具备电介质层和设置于电介质层的下方的金属基部。在金属基部设置有晶片冷却用的贯通孔，在贯通孔的内部设置有多孔质构件。

发明内容

本发明的试料保持器具具备：基体，其具有陶瓷，并在上表面具有试料保持面；支承体，其具有金属，且上表面覆盖所述基体的下表面；以及第一接合层，其将所述基体的下表面与所述支承体的上表面接合，所述试料保持器具具有第一贯通孔，所述第一贯通孔从所述支承体的下表面穿过所述第一接合层而贯通到所述基体的上表面，并且所述第一贯通孔在所述基体中的至少一部分中比在所述支承体中以及所述第一接合层中细，所述试料保持器具具备多孔质构件，所述多孔质构件位于所述第一贯通孔的内部，并经由第二接合层而接合于所述基体的下表面。

附图说明

图1是示出试料保持器具的一例的俯视图。

图2是以A-A线剖切图1所示的试料保持器具而得到的剖视图。

图3是放大图2所示的试料保持器具中的区域B而得到的局部剖视图。

图4是示出试料保持器具的其他例子的局部剖视图。

图5是示出试料保持器具的其他例子的局部剖视图。

图6是示出试料保持器具的其他例子的局部剖视图。

图7是示出试料保持器具的其他例子的局部剖视图。

图8是示出试料保持器具的其他例子的局部剖视图。

图9是示出试料保持器具的其他例子的局部剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对试料保持器具100进行说明。

如图1、2所示，试料保持器具100具备基体1、支承体2、第一接合层3、第二接合层4、以及多孔质构件5。在本例中，试料保持器具100还具备吸附电极6。试料保持器具100例如为静电夹紧件。试料保持器具100例如以在比试料保持面14靠上方处产生等离子体的方式使用。例如，通过在外部的多个电极之间施加高频而激励位于电极间的气体，由此能够产生等离子体。

基体1是圆板状的构件。基体1的上表面是保持试料的试料保持面14。基体1在上表面的试料保持面14上例如保持硅晶片等试料。基体1例如具有陶瓷材料。作为陶瓷材料，例如具有氧化铝、氮化铝、氮化硅或者氧化钇等陶瓷材料。对于基体1的尺寸，例如能够将直径设定为200～500mm，将厚度设定为2～15mm。