[发明专利]数字掩模系统、图样成像设备及数字掩模方法在审
申请号: | 201880067569.6 | 申请日: | 2018-11-02 |
公开(公告)号: | CN111226171A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 史考特·柯林姆萨克;尼可拉斯·迪亚哥 | 申请(专利权)人: | 捷普有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;G03F1/76;G03F7/004;G03F7/20;G03F7/207;B29C64/10;B29C64/20;B29C64/25;B29C64/264;B29C64/277 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰滨;王晓晓 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 数字 系统 图样 成像 设备 方法 | ||
一种数字掩模系统包含一用于支撑一材料的支撑结构,及一图样成像设备。该图样成像设备包括一光源装置、多个将来自该光源装置的光转换为多个各表示出一图像的光束的成像装置,及一将所述光束组合为一被朝一材料投射的光束输出的组合器。
技术领域
本发明涉及一种掩模系统及方法,特别是指一种数字掩模系统及方法。
背景技术
数字掩模是一种能在没有物理遮光罩的情况下于光敏材料上形成图样的技术(也就是无光罩微影处理),而因此适用于例如三维打印领域。
参阅图1,一种现有且用于三维打印的投影机包含一光源及一数字微镜器件(DMD)芯片。借由控制其中的每一个微型反射镜于分别代表一开启状态及一关闭状态的两个特定角度之间转动(所述的两个特定角度之间通常相差20度左右),该数字微镜器件芯片能将由光源所提供的光转换为一光学图像,并借由一投影镜头将该光学图像投影至一被置于一可动的打印机床的光固化材料(图未示)上。通过改变投射于该光固化材料上的光学图像并配合打印机床的移动,便能借此形成一个三维打印物件。
然而,该数字微镜器件芯片具有最大光功率输入的限制,其限制了投影机输出的光的强度,从而限制了三维打印的速度。
发明内容
因此,本发明提供了能克服背景技术的至少一缺点的一种数字掩模系统、图样成像设备及数字掩模方法。
根据本发明的一方面,该数字掩模系统包含一图样成像设备。该图样成像设备包含一用于支撑该材料的该至少一层的支撑结构、一光源装置、一群成像装置及一组合器。该光源装置被组配于提供一群光分量,该群成像装置被设置为分别接收所述光分量并将所述光分量转换为各表示出一图像的一群光束,该组合器被设置为接收所述光束并将所述光束组合为一被朝该支撑结构所支撑的该材料的该至少一层投射的光束输出。
根据本发明的另一方面,该图样成像设备适用于将一材料图样化,且包含一被组配于提供多个光分量的光源装置、多个被设置为分别接收所述光分量并将所述光分量转换为各表示出一图像的多个光束的成像装置,及一被设置为接收所述光束并将所述光束组合为一被朝该材料投射的光束输出的组合器。
根据本发明,该数字掩模方法包含:提供多个光分量;接收所述光分量并将所述光分量转换为各表示出一图像的多个光束;接收所述光束并将所述光束组合为一光束输出;将该光束输出朝一材料投射。
附图说明
本发明的其他的特征及功效,将于参照图式的实施方式中清楚地呈现,其中:
图1是一示意图,绘示一个现有的用于三维打印的投影机;
图2是一方块示意图,绘示本发明数字掩模系统的一第一实施例;
图3是一示意图,绘示该第一实施例中利用数字光处理技术的一图样成像设备;
图4A及4B分别为两个示意图,且分别绘示该第一实施例的两种示例性实施方式;
图5A、5B及5C是一示意图,绘示该第一实施例中图样成像设备是以数字光处理技术实现的一种示例性实施方式;
图6是一示意图,绘示该第一实施例中图样成像设备是以液晶显示面板技术实现的另一种示例性实施方式;
图7是一示意图,绘示该第一实施例中图样成像设备是以硅上液晶技术实现的再一种示例性实施方式;
图8是一示意图,绘示本发明数字掩模系统的一第二实施例;
图9是一示意图,绘示本发明数字掩模系统的一第三实施例;
图10A及10B各为一示意图且各绘示本发明数字掩模系统的一第四实施例;
图11是一示意图,绘示本发明数字掩模系统的一第五实施例;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于捷普有限公司,未经捷普有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880067569.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备