[发明专利]制造卤素掺杂的二氧化硅的方法有效
| 申请号： | 201880068279.3 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111278780B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | D·C·伯克宾德;S·B·道斯;R·M·菲亚克;李明军;P·坦登 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/014 | 分类号： | C03B37/014;C03B19/14;C03B20/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 卤素 掺杂 二氧化硅 方法 | ||
1.一种生产卤素掺杂的二氧化硅的方法，其包括：
用掺杂前体对二氧化硅烟炱体进行掺杂，所述掺杂前体包含卤素且具有大于2atm的分压，掺杂发生在1000℃至1500℃的温度；
使得经过掺杂的二氧化硅烟炱体致密化以形成闭孔二氧化硅体；所述闭孔二氧化硅体包括掺杂了卤素的二氧化硅；以及
对闭孔二氧化硅体进行压力处理，使得掺杂前体与闭孔二氧化硅体反应，其中，通过机械方式来施加压力和/或通过使得闭孔二氧化硅体暴露于加压气体至少1.0小时的时间段来施加压力，所述加压气体具有至少2.0atm的压力。
2.如权利要求1所述的方法，其中，闭孔二氧化硅体具有大于2.0g/cm3的密度。
3.如权利要求1所述的方法，其中，闭孔二氧化硅体具有大于2.10g/cm3的密度。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述气体的压力是至少5.0atm。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述气体的压力是至少20.0atm。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述气体的压力是至少50.0atm。
7.如权利要求1所述的方法，其中，卤素包括氯。
8.如权利要求7所述的方法，其中，闭孔二氧化硅体中的氯浓度是至少2.0重量％。
9.如权利要求7所述的方法，其中，闭孔二氧化硅体中的氯浓度是至少4.0重量％。
10.如权利要求7所述的方法，其中，闭孔二氧化硅体中的氯浓度是至少5.5重量％。
11.如权利要求1所述的方法，其中，卤素包括溴。
12.如权利要求11所述的方法，其中，闭孔二氧化硅体中的溴浓度是至少1.0重量％。
13.如权利要求11所述的方法，其中，闭孔二氧化硅体中的溴浓度是至少2.0重量％。
14.如权利要求11所述的方法，其中，闭孔二氧化硅体中的溴浓度是至少3.5重量％。
15.如权利要求1所述的方法，其中，闭孔二氧化硅体包括未反应的掺杂前体，所述未反应的掺杂前体包含卤素并且占据了闭孔二氧化硅体的空穴或空隙。
16.一种生产卤素掺杂的二氧化硅的方法，其包括：
用掺杂前体对二氧化硅烟炱体进行掺杂，所述掺杂前体包含卤素且具有大于2atm的分压，掺杂发生在1000℃至1500℃的温度；
使得经过掺杂的二氧化硅烟炱体致密化以形成闭孔二氧化硅体；所述闭孔二氧化硅体包括掺杂了卤素的二氧化硅；
在1000℃至1500℃的温度加热闭孔二氧化硅体，持续的时间段为至少1.0小时；以及
对闭孔二氧化硅体进行压力处理，使得掺杂前体与闭孔二氧化硅体反应，其中，通过机械方式来施加压力和/或通过使得闭孔二氧化硅体暴露于加压气体至少1.0小时的时间段来施加压力，所述加压气体具有至少2.0atm的压力。
17.如权利要求16所述的方法，其中，卤素包括氯。
18.如权利要求17所述的方法，其中，闭孔二氧化硅体中的氯浓度是至少2.0重量％。
19.如权利要求17所述的方法，其中，闭孔二氧化硅体中的氯浓度是至少4.0重量％。
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