[发明专利]减少热转变对工件的损坏的系统、可读存储介质及方法有效
申请号: | 201880068623.9 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN111247631B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 史考特·E·派滋许 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 减少 转变 工件 损坏 系统 可读 存储 介质 方法 | ||
本发明公开一种减少热转变对工件的损坏的系统、可读存储介质及方法。本发明公开的减少在热转变期间对设置在台板上的工件的背面的损坏的系统及方法。所述系统包括控制器,控制器在热转变期间对夹持电压及背面气体压力进行调节。通过对夹持电压进行调节,工件在某些时刻可不紧紧地固持到台板,由此减少可能由驻留在台板的顶表面上的粒子造成的损坏。另外,对背面气体压力进行的调节仍允许台板与工件之间具有良好的导热性。
技术领域
本公开的实施例涉及一种减少热转变对工件的损坏的系统、可读存储介质及方法。
背景技术
半导体装置的制作涉及多个分立的且复杂的工艺。一种这种工艺可为蚀刻工艺,在蚀刻工艺中将材料从工件移除。另一种工艺可为沉积工艺,在沉积工艺中在工件上沉积材料。又一种工艺可为离子植入工艺,在离子植入工艺中向工件植入离子。
在一些实施例中,以不同于室温的温度执行这些工艺中的一种或多种可为有益的。举例来说,在某些实施例中,离子植入工艺可在高的温度下最好地执行。在其他实施例中,这种工艺可在冷的温度下最好地执行。
为了使工件准备好进行这一工艺,可采用预加热或冷却站。在某些实施例中,将工件设置在台板上,接着更改台板的温度来控制工件的温度。这种热转变可能造成工件的膨胀或收缩。
在一些情形中,在将工件设置在台板上时可能会损坏工件。举例来说,当工件的温度变化时,工件会相对于台板膨胀或收缩。当工件的尺寸改变时,位于台板上的粒子可能会擦伤、污损或以其他方式损坏工件的底表面,这是因为工件与台板之间会发生相对移动。这可能导致放射状擦伤或沟痕。擦伤可降低总体装置良率且因此增大生产半导体组件的成本。
因此,如果存在一种减少在这些热转变期间对工件的背面的损坏的系统及方法,则将为有益的。如果所述系统不会显著影响使工件达到期望温度的时间,则也将为有利的。
发明内容
本发明公开一种减少在热转变期间对设置在台板上的工件的背面的损坏的系统及方法。所述系统包括控制器,控制器在热转变期间对夹持电压及背面气体压力进行调节。通过对夹持电压进行调节,工件在某些时刻可不紧紧地固持到台板,由此减少可能由驻留在台板的顶表面上的粒子造成的损坏。另外,对背面气体压力进行的调节仍允许台板与工件之间具有良好的导热性。
根据一个实施例,本发明公开一种减少在热转变期间对工件的损坏的系统。所述系统包括:台板,包括具有一个或多个开口的顶表面;多个管道,所述多个管道中的每一者与所述一个或多个开口中的相应的开口连通;阀门系统,与所述多个管道连通且与背面气体供应系统连通;一个或多个电极,设置在所述台板中以生成夹持力来将所述工件固持到所述顶表面;电极电源;以及控制器,与所述阀门系统连通以调节通往所述台板的所述顶表面的背面气体的流量,且与所述电极电源连通以调节施加到所述工件的所述夹持力。在某些实施例中,所述电极电源输出第一电压来对所述工件施加第一夹持力,且输出第二电压来对所述工件施加比所述第一夹持力小的第二夹持力。在某些实施例中,所述阀门系统被配置成以第一压力水平及比所述第一压力水平低的第二压力水平供应背面气体。在某些实施例中,在对所述工件施加所述第一夹持力时供应所述第一压力水平。在一些实施例中,所述第二夹持力介于所述第一夹持力的0%到50%之间。在一些实施例中,所述控制器以小于10Hz的频率调节所述夹持力及所述背面气体的所述流量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司,未经瓦里安半导体设备公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880068623.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造