[发明专利]用于在非易失性存储器中存储多位数据的系统和方法有效
申请号: | 201880068646.X | 申请日: | 2018-10-02 |
公开(公告)号: | CN111344791B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | V·蒂瓦里;N·多;H·V·特兰 | 申请(专利权)人: | 硅存储技术股份有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈斌 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 非易失性存储器 存储 数据 系统 方法 | ||
1.一种读取具有多个存储器单元的存储器设备的方法,所述方法包括:
读取所述多个存储器单元中的第一存储器单元以生成第一读取电流;
读取所述多个存储器单元中的第二存储器单元以生成第二读取电流;
将第一偏移值施加到所述第二读取电流;然后
将所述第一读取电流和具有所述第一偏移值的所述第二读取电流组合以形成第三读取电流;以及然后
使用所述第三读取电流确定所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的程序状态。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述组合包括将所述第一读取电流和具有所述第一偏移值的所述第二读取电流一起添加。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括:
读取所述多个存储器单元中的第三存储器单元以生成第四读取电流;
将第二偏移值施加到所述第四读取电流;
其中所述组合包括将所述第一读取电流、具有所述第一偏移值的所述第二读取电流和具有所述第二偏移值的所述第四读取电流组合以形成所述第三读取电流。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述第二偏移值不同于所述第一偏移值。
5.根据权利要求3所述的方法,其中所述组合包括将所述第一读取电流、具有所述第一偏移值的所述第二读取电流和具有所述第二偏移值的所述第四读取电流一起添加。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个存储器单元被布置成所述存储器单元的行和列的阵列,其中所述列中的每个列包括在其中连接到所述存储器单元的位线,其中所述第一存储器单元被设置在所述列的第一列中,并且其中所述第二存储器单元被设置在所述列的不同于所述列的所述第一列的第二列中。
7.一种读取具有多个存储器单元的存储器设备的方法,所述方法包括:
读取所述多个存储器单元中的第一存储器单元以生成第一读取电流;
读取所述多个存储器单元中的第二存储器单元以生成第二读取电流;
根据所述第一读取电流生成第一电压;
根据所述第二读取电流生成第二电压;
将第一偏移值施加到所述第二电压;然后
将所述第一电压和具有所述第一偏移值的所述第二电压组合以形成第三电压;以及然后
使用所述第三电压确定所述第一存储器单元和所述第二存储器单元的程序状态。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述组合包括将所述第一电压和具有所述第一偏移值的所述第二电压一起添加。
9.根据权利要求7所述的方法,还包括:
读取所述多个存储器单元中的第三存储器单元以生成第三读取电流;
根据所述第三读取电流生成第四电压;
将第二偏移值施加到所述第四电压;
其中所述组合包括将所述第一电压、具有所述第一偏移值的所述第二电压和具有所述第二偏移值的所述第四电压组合以形成所述第三电压。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述第二偏移值不同于所述第一偏移值。
11.根据权利要求9所述的方法,其中所述组合包括将所述第一电压、具有所述第一偏移值的所述第二电压和具有所述第二偏移值的所述第四电压一起添加。
12.根据权利要求7所述的方法,其中所述多个存储器单元被布置成所述存储器单元的行和列的阵列,其中所述列中的每个列包括在其中连接到所述存储器单元的位线,其中所述第一存储器单元被设置在所述列的第一列中,并且其中所述第二存储器单元被设置在所述列的不同于所述列的所述第一列的第二列中。
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