[发明专利]附金属膜衬底的分断方法在审
申请号: | 201880069036.1 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN111263974A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 村上健二 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B28D5/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 日本国大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属膜 衬底 方法 | ||
1.一种附金属膜衬底的分断方法,其特征在于:其是将附金属膜衬底分断的方法,且具备:
刻划步骤,通过利用刻划工具在特定的分断预定位置,刻划附金属膜衬底的未设金属膜的第1主面侧而形成划片槽,且使垂直裂纹从所述划片槽沿所述分断预定位置向所述附金属膜衬底的内部扩展;
第1裂断步骤,通过使裂断杆从所述附金属膜衬底的设有所述金属膜的第2主面侧对所述附金属膜衬底进行抵接,而使所述垂直裂纹进一步扩展,由此在所述分断预定位置,将所述附金属膜衬底的所述金属膜以外的部分分断;及
第2裂断步骤,通过使所述裂断杆从所述第1主面侧对所述附金属膜衬底进行抵接,而在所述分断预定位置将所述金属膜分断。
2.根据权利要求1所述的附金属膜衬底的分断方法,其特征在于,
所述裂断杆的刀尖前端部的曲率半径为5μm~30μm。
3.根据权利要求2所述的附金属膜衬底的分断方法,其特征在于,
所述特定的分断预定位置是以特定间隔d1确定有多个,
所述第1裂断步骤及所述第2裂断步骤在由水平方向上分隔的一对保持部从下方支撑所述附金属膜衬底的状态下,在自所述一对保持部各自等效的位置进行,且
将所述一对保持部的分隔距离d2
在所述第1裂断步骤中设为d2=0.5d1~1.25d1,
在所述第2裂断步骤中设为d2=1.0d1~1.75d1。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的附金属膜衬底的分断方法,其特征在于,
在将粘附性胶带贴附在所述金属膜的状态下,进行所述刻划步骤、所述第1裂断步骤、及所述第2裂断步骤,且
在所述第1裂断步骤中,将所述金属膜以外的部分分断,并且在所述金属膜及所述粘附性胶带的相当于所述分断预定位置的位置形成皱褶。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的附金属膜衬底的分断方法,其特征在于,
所述第1裂断步骤是使所述附金属膜衬底的姿势与所述刻划步骤时上下颠倒后进行,
所述第2裂断步骤是使所述附金属膜衬底的姿势与所述第1裂断步骤时上下颠倒后进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造