[发明专利]附金属膜衬底的分断方法

说明书

本发明提供一种可较佳地分断附金属膜衬底的方法。分断附金属膜衬底的方法具备如下步骤：在特定的分断预定位置，刻划未设金属膜的第1主面侧而形成划片槽，且使垂直裂纹沿分断预定位置向衬底内部扩展；通过使裂断杆从设有金属膜的第2主面侧对附金属膜衬底进行抵接而使垂直裂纹进一步扩展，由此，在分断预定位置将金属膜以外的部分分断；及通过使裂断杆从第1主面侧对附金属膜衬底进行抵接，而在分断预定位置将金属膜分断。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件用衬底的分断，尤其涉及一种在一主面形成有器件图案，在另一主面形成有金属膜的衬底的分断。

背景技术

作为将例如SiC(碳化硅)衬底等半导体器件用衬底分断的方法，已知有诸如以下的方法，进行在半导体器件用衬底的一主面形成划片槽，使垂直裂纹从该划片槽扩展的刻划步骤后，进行通过施加外力使所述裂纹在衬底厚度方向上进一步扩展，由此将半导体器件用衬底裂断的裂断步骤(例如参照专利文献1)。

划片槽的形成是通过使刻划轮(切割轮)沿分断预定位置压接滚动而进行。

裂断是通过在半导体器件用衬底的另一主面侧，使裂断刀(裂断杆)的刀尖沿分断预定位置抵接于半导体器件用衬底后，将该刀尖进一步压入而进行。

另外，这些划片槽的形成及裂断是在将具有粘附性的切割胶带贴附在另一主面的状态下进行，且在裂断后，通过使所述切割胶带伸展的展开步骤而使对向的分断面分隔。

作为将半导体器件用衬底分断的一形态，包括将母板分断(单片化)成各个器件单位，所述母板是在一主面形成有二维地重复有包含半导体层或电极等的半导体器件的单位图案所得的器件图案，且在另一主面形成有金属膜。

以如专利文献1中揭示的以往方法进行所述分断的情况下，有时在裂断步骤后，产生金属膜在应被分断的部位未被完全分断而仍保持连续的所谓薄膜残留之类的状态。

另外，即便产生此种薄膜残留的部分，仍可通过随后的展开步骤将该部分金属膜分断(破断)，但存在即便已实施分断，也容易在所述分断部位出现金属膜剥落之类问题。

背景技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2012-146879号公报

发明内容

本发明是鉴于所述问题而完成者，目的在于提供一种可较佳地分断附金属膜衬底的方法。

为解决所述问题，本发明第1形态的特征在于：其是将附金属膜衬底分断的方法，且具备：刻划步骤，通过利用刻划工具在特定的分断预定位置，刻划附金属膜衬底的未设金属膜的第1主面侧而形成划片槽，且使垂直裂纹从所述划片槽沿所述分断预定位置向所述附金属膜衬底的内部扩展；第1裂断步骤，通过使裂断杆从所述附金属膜衬底的设有所述金属膜的第2主面侧对所述附金属膜衬底进行抵接，而使所述垂直裂纹进一步扩展，由此在所述分断预定位置，将所述附金属膜衬底的所述金属膜以外的部分分断；及第2裂断步骤，通过使所述裂断杆从所述第1主面侧对所述附金属膜衬底进行抵接，而在所述分断预定位置将所述金属膜分断。

本发明的第2形态是根据第1形态的附金属膜衬底的分断方法，其特征在于：所述裂断杆的刀尖前端部的曲率半径为5μm～25μm。

本发明的第3形态是根据第2形态的附金属膜衬底的分断方法，特征在于：所述特定的分断预定位置是以特定间隔d1确定多个，所述第1裂断步骤及所述第2裂断步骤在由水平方向上分隔的一对保持部从下方支撑所述附金属膜衬底的状态下，在自所述一对保持部各自等效的位置进行，且将所述一对保持部的分隔距离d2在所述第1裂断步骤中设为d2＝0.5d1～1.25d1，在所述第2裂断步骤中设为d2＝1.0d1～1.75d1。