[发明专利]附金属膜的衬底的分断方法在审
申请号: | 201880069057.3 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN111279459A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 村上健二 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B28D5/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本国大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属膜 衬底 方法 | ||
本发明提供一种可良好分断附金属膜的衬底的方法。本发明的分断附金属膜的衬底的方法具备:通过在特定的分断预定位置对设有金属膜的第1主表面侧进行刻划而形成划线,分断金属膜且使垂直裂缝沿分断预定位置向衬底内部延展的步骤;及使裂断杆从未设金属膜的第2主表面侧与附金属膜的衬底抵接而使垂直裂缝进一步延展,由此,在分断预定位置分断附金属膜的衬底的步骤。
技术领域
本发明涉及一种半导体设备用衬底的分断,尤其涉及一种在一主表面形成有设备图案、在另一主表面形成有金属膜的衬底的分断。
背景技术
作为分断例如SiC(碳化硅)衬底等半导体设备用衬底的方法,已知有以下方法:进行在半导体设备用衬底的一主表面形成划线并使垂直裂缝从所述划线延展的刻划步骤,随后进行通过施加外力使所述裂缝沿衬底厚度方向进一步延展而将半导体设备用衬底裂断的裂断步骤(例如参照专利文献1)。
划线的形成是通过使刻划轮(切割轮)沿分断预定位置压接滚动而进行的。
裂断通过以下操作而进行:在半导体设备用衬底的另一主表面侧,使裂断刃(裂断杆)的刀尖沿分断预定位置抵接于半导体设备用衬底后,进而压入所述刀尖。
另外,所述划线的形成及裂断是在将具有粘性的切割胶带贴附在另一主表面的状态下进行,且通过裂断后使所述切割胶带伸长的扩展步骤将对向的分断面分开。
作为分断半导体设备用衬底的一形态,有将母衬底以各个设备为单位分断(单片化)的形态,所述母衬底在一主表面形成有由包含半导体层或电极等的半导体设备的单位图案二维重复而成的设备图案,且在另一主表面形成有金属膜。
在以如专利文献1所揭示的以往方法进行所述分断的情况下,有时在裂断步骤后,产生如金属膜在应被分断的部位未被完全分断而仍保持连续,也就是薄皮残留的状态。
另外,即便产生此种薄皮残留的部分,仍可通过后续的扩展步骤将所述部分的金属膜分断(破断),但假设即便进行了分断,也有在所述分断部位容易发生金属膜剥离的问题。
本发明是鉴于所述问题而完成者,目的在于提供一种可良好分断附金属膜的衬底的方法。
背景技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2012-146879号公报
发明内容
为了解决所述课题,本发明的第1形态特征在于:是分断附金属膜的衬底的方法,且具备:刻划步骤,通过刻划工具在特定的分断预定位置对附金属膜衬底的设有金属膜的第1主表面侧进行刻划而形成划线,分断所述金属膜且使垂直裂缝从所述划线沿所述分断预定位置向所述附金属膜衬底的内部延展;及裂断步骤,使裂断杆从所述附金属膜衬底的未设所述金属膜的第2主表面侧与所述附金属膜衬底抵接而使所述垂直裂缝进一步延展,由此在所述分断预定位置分断所述附金属膜衬底。
根据第1形态的附金属膜的衬底的分断方法,本发明的第2形态特征在于:所述裂断步骤使所述附金属膜的衬底的姿势与所述刻划步骤时上下反转而进行。
根据第1或第2形态的附金属膜的衬底的分断方法,本发明的第3形态特征在于:刻划装置中,在将所述附金属膜的衬底以所述第1主表面侧与所述刻划工具对向的姿势固定在所述载台的状态下进行所述刻划步骤,且所述刻划装置具备:载台,供载置刻划对象物;及所述刻划工具,从上方对载置在所述载台的所述刻划对象物进行刻划。
根据第3形态的附金属膜的衬底的分断方法,本发明的第4形态特征在于:所述刻划装置进而具备:相机,配置在所述载台的下方,且用于观察及拍摄载置在所述载台的所述刻划对象物;且所述载台中的至少由所述相机拍摄的范围内以透明材料构成。
根据本发明的第1到第4形态,不会发生金属膜剥离,而可良好地分断附金属膜的衬底。
附图说明
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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