[发明专利]用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件

权利要求书

1.一种用于制造光电子半导体组件(1)的方法，其具有如下步骤：

A)使用于产生辐射的半导体层序列(3)生长在生长衬底(2)上，

B)将所述半导体层序列(3)结构化为发射支路(11)，使得相邻的发射支路(11)之间的空隙(12)中的所述半导体层序列(3)被移除，

C)施加钝化层(4)，其中所述半导体层序列(3)在背离所述生长衬底(2)的波导触点(51)处至少部分地保持露出并且所述空隙(12)至少部分地保持露出，

D)产生至少一个金属层(50)，所述至少一个金属层从所述波导触点(51)延伸进入所述空隙(12)中，

E)通过载体(6)替代所述生长衬底(2)，

F)在所述载体(6)中创建通孔(53)，使得所述金属层(50)和所述半导体层序列(3)的朝向所述载体(6)的下侧触点(52)电接触，以及移除在所述发射支路(11)的至少一些之间和在沿着所述发射支路(11)彼此相随的发射单元(13)之间的载体(6)，并且

G)折断在所述发射单元(13)之间的半导体层序列(3)，使得形成棱面(31)。

2.根据上述权利要求所述的方法，其中

-所述半导体组件(1)是边缘发射的激光器，

-所述钝化层(4)直接地施加到所述半导体层序列(3)上并且所述金属层(50)直接地施加到所述钝化层(4)上，并且

-所述金属层(50)形状仿照所述发射支路(11)的侧面(30)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述棱面(31)的至少一部分设置用于从制成的半导体组件(1)的辐射耦合输出，

其中，根据步骤G)，所述棱面(31)超出相关的载体(6)至少2μm和至多50μm。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在步骤C)之前，在所述半导体层序列(3)的背离所述生长衬底(2)的一侧产生条形波导(35)，所述条形波导设置用于沿平行于所述发射支路(11)的方向一维地引导辐射，

其中所述波导触点(51)各位于相关的所述条形波导(35)处。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述半导体层序列(3)的背离所述生长衬底(2)的一侧在所述半导体层序列(3)的有源区(33)的激发宽度区域中是平坦的，使得制成的所述半导体组件(1)是增益导引的激光器。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在步骤D)和E)之间，

-产生填充层(70)，所述填充层填充所述空隙(12)，使得所述填充层(70)的远离所述生长衬底(2)的一侧是平坦的，并且随后

-将辅助载体(71)安置到所述填充层(70)上。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在步骤A)之前或随步骤A)在所述半导体层序列(3)和所述生长衬底(2)之间产生蚀刻停止层(22)，

其中,所述蚀刻停止层(22)在步骤B)中从所述空隙(12)移除并且所述蚀刻停止层(22)的余下的残余物在步骤E)中在剥离所述生长衬底(2)和安置所述载体(6)之间移除。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在移除所述蚀刻停止层(22)的所述残余物之后，并且在安置所述载体(6)之前

-在所述下侧触点(52)处分别产生至少一个接触层(54)，并且

-将所述接触层(54)用平面化层(73)覆盖。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述载体(6)借助于直接键合直接地且平面地安置在所述平面化层(73)上并且随后将所述辅助载体(71)移除。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述金属层(50)分别在所述发射支路(11)的两侧从相应的所述波导触点(51)延伸直至进入邻接的所述空隙(12)中，使得所述发射支路(11)在所述半导体层序列(3)的区域中在横截面中观察时对称地由所述金属层(50)包围。