[发明专利]用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件

说明书

本发明涉及一种用于制造光电子半导体组件(1)的方法，其具有如下步骤：A)使用于产生辐射的半导体层序列(3)生长在生长衬底(2)上，B)将半导体层序列(3)结构化为发射支路(11)，使得相邻的发射支路(11)之间的空隙(12)中的半导体层序列(3)被移除，C)施加钝化层(4)，其中半导体层序列(3)在背离生长衬底(2)的波导触点(51)处至少部分地保持露出并且空隙(12)至少部分地保持露出，D)产生至少一个金属层(50)，所述至少一个金属层从波导触点(51)延伸进入空隙(12)中，E)通过载体(6)代替生长衬底(2)，F)在载体(6)中创建通孔(53)，使得金属层(50)和半导体层序列(3)的朝向载体(6)的下侧触点(52)电接触，以及移除在发射支路(11)的至少一些之间和在沿着发射支路(11)彼此相随的发射单元(13)之间的载体(6)，并且G)折断在发射单元(13)之间的半导体层序列(3)，使得形成棱面(31)。

提出一种用于制造光电子半导体组件的方法。此外，提出一种光电子半导体组件。

要实现的目的是提出一种方法，借助所述方法能够有效地制造可表面安装的半导体激光器。

另外，所述目的通过具有权利要求1的特征的方法来实现。优选的改进是其余权利要求的主题。

根据至少一个实施方式，借助所述方法制造光电子半导体组件。半导体组件优选为激光二极管，简称LD。替选地，可以制造发光二极管，简称LED，或具有谐振腔的发光二极管，简称RC-LED。

根据至少一个实施方式，所述方法包括在生长衬底上的半导体层序列的生长的步骤。半导体层序列被设置用于产生辐射。

半导体层序列具有至少一个有源区，所述至少一个有源区设计用于在发光二极管芯片运行时产生辐射。所产生的辐射优选是相干的。半导体层序列优选基于III-V化合物半导体材料。半导体材料例如是氮化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mN或是磷化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mP或者是砷化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mAs或如Al_nGa_mIn_1-n-mAs_kP_1-k，其中，分别0≤n≤1、0≤m≤1和n+m≤1以及0≤k1。在此优选地，对于半导体层序列的至少一个层或对于所有层适用0n≤0.8、0.4≤m1和n+m≤0.95以及0k≤0.5。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而，为了简单起见，仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。优选地，半导体层序列基于材料系统AlInGaAs。

生长衬底尤其为GaAs衬底。替选地，根据半导体层序列的材料体系，能够使用如GaN、蓝宝石、碳化硅或硅的生长衬底。

根据至少一个实施方式，所述方法包括将半导体层序列结构化成发射支路的步骤。在此，将在相邻的发射支路之间的空隙中的半导体层序列完全或部分地移除。在空隙中半导体层序列的生长衬底或生长层可能露出，所述生长层位于生长衬底处。发射支路优选平行于制成的半导体组件的谐振器和/或主发射方向延伸。

根据至少一个实施方式，所述方法包括安置钝化层的步骤。优选地产生钝化层，使得半导体层序列在背离生长衬底的波导触点处保持露出。波导触点设置用于激发半导体层序列。半导体层序列的高掺杂的半导体接触层能够位于波导触点处。替选地或附加地,空隙可以部分地或完全地保持没有钝化层。

根据至少一个实施方式，产生至少一个金属层，所述至少一个金属层从波导触点延伸直至进入空隙中。经由一个或多个金属层，随后在波导触点处实现半导体层序列的电接触。