[发明专利]静电电容式传感器在审
申请号: | 201880069576.X | 申请日: | 2018-10-30 |
公开(公告)号: | CN111279301A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 平木勇太;山井知行;矢泽学;田代圭太 | 申请(专利权)人: | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044;G06F3/041 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴秋明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 电容 传感器 | ||
1.一种静电电容式传感器,其特征在于,
所述静电电容式传感器具有:
基材,其具有透光性;
多个第一透明电极,其在所述基材的一个主面的检测区域沿着第一方向并排地配置,具有透光性,并包含导电性纳米线;
多个第二透明电极,其在所述检测区域沿着与所述第一方向交叉的第二方向并排地配置,具有透光性,并包含导电性纳米线;
第一连结部,其将相邻的两个所述第一透明电极相互电连接,并包含非晶态氧化物系材料;以及
第二连结部,其将相邻的两个所述第二透明电极相互电连接,并包含非晶态氧化物系材料,
所述第一连结部和所述第二连结部配置成,在从与所述主面正交的方向看的俯视观察下不相互交叉,
在所述第一连结部具有分别被配设于相邻的两个所述第一透明电极上的第一连接面,该第一连接面与各个所述第一透明电极电连接,
在所述第二连结部具有分别被配设于相邻的两个所述第二透明电极上的第二连接面,该第二连接面与各个所述第二透明电极电连接。
2.根据权利要求1所述的静电电容式传感器,其特征在于,
在形成所述第一连结部的区域,形成了在所述俯视观察下覆盖所述第二透明电极的一部分的绝缘层,
将两个所述第一透明电极电连接的所述第一连结部被配置于与该两个所述第一透明电极相邻的所述第二透明电极上的所述绝缘层上。
3.根据权利要求2所述的静电电容式传感器,其特征在于,
所述第一连结部具有:在成为电连接的对象的两个所述第一透明电极的每一个上沿着与所述第一方向交叉的方向延伸的图案。
4.根据权利要求3所述的静电电容式传感器,其特征在于,
所述第一连结部具有:在成为电连接的对象的两个所述第一透明电极的每一个上沿着所述第二方向延伸的图案,并且,具有:在与该两个所述第一透明电极相邻的两个所述第二透明电极上的每一个所述绝缘层上沿着所述第一方向延伸的图案。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的静电电容式传感器,其特征在于,
在所述绝缘层形成了面临所述第二透明电极并上下贯通该绝缘层的第二通孔,
经由该第二通孔,相邻的所述第二透明电极利用所述第二连结部而电连接。
6.根据权利要求5所述的静电电容式传感器,其特征在于,
所述绝缘层在所述俯视观察下覆盖了所述第一透明电极的一部分,
在所述绝缘层形成了面临所述第一透明电极并上下贯通该绝缘层的第一通孔,
经由该第一通孔,相邻的所述第一透明电极利用所述第一连结部而电连接。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的静电电容式传感器,其特征在于,
在所述第一透明电极以及所述第二透明电极上,在所述俯视观察下,在除了所述第一连结部以及所述第二连结部的区域配置有包含非晶态氧化物系材料的图案层。
8.根据权利要求7所述的静电电容式传感器,其特征在于,
所述图案层与所述第一连结部以及所述第二连结部中的一者电连接,并与另一者绝缘。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的静电电容式传感器,其特征在于,
所述静电电容式传感器具有:
第一引出布线,其与利用多个所述第一连结部连结的多个所述第一透明电极电连接;以及
第二引出布线,其与利用多个所述第二连结部连结的多个所述第二透明电极电连接,
在相互相邻的所述第一透明电极和所述第一引出布线之间形成有包含非晶态氧化物系材料的第一电阻设定部,并且在相互相邻的所述第二透明电极和所述第二引出布线之间形成有包含非晶态氧化物系材料的第二电阻设定部。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的静电电容式传感器,其特征在于,
所述导电性纳米线是选自由金纳米线、银纳米线、以及铜纳米线组成的组的至少一者。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的静电电容式传感器,其特征在于,
所述非晶态氧化物系材料是选自由非晶态ITO、非晶态IZO、非晶态GZO、非晶态AZO、以及非晶态FTO组成的组的至少一者。
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