[发明专利]固态成像装置和电子设备

说明书

本技术涉及能够抑制暗电流特性的劣化的固态成像装置和电子设备。本发明设有：光电转换部，其执行光电转换；沟槽，其在深度方向上贯通半导体基板，并且形成在各自形成于彼此相邻的像素中的所述光电转换部之间；和作为所述沟槽的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域。所述P型区域具有突出到所述N型区域的下侧的区域。本发明还设有：具有pn结的无机光电转换部和具有有机光电转换膜的有机光电转换部，所述无机光电转换部和有机光电转换部在同一像素内从受光面侧沿深度方向层叠；和作为所述无机光电转换部的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域。此外，本发明还设有：光电转换部，其执行光电转换；沟槽，其在未贯通半导体基板的情况下挖入到所述半导体基板中；作为所述沟槽的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括第一P型区域和N型区域；和在所述光电转换部的受光面侧的第二P型区域。例如，本技术可以适用于背面照射型CMOS图像传感器。

技术领域

本技术涉及固态成像装置和电子设备，更具体地，涉及这样的固态成像装置和电子设备，其中在形成于各像素之间的像素间遮光壁的侧壁上形成有P型固相扩散层和N型固相扩散层，从而形成强电场区域以保持电荷，并因而增加各像素的饱和电荷量Qs。

背景技术

传统上，已知这样的一种技术，其中为了增加固态成像装置的各像素的饱和电荷量Qs，在形成于各像素之间的沟槽的侧壁上形成有P型扩散层和N型扩散层，用于形成强电场区域以保持电荷(例如，参见专利文献1)。

引用文献列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请特开No.2015-162603

发明内容

本发明要解决的问题

然而，在专利文献1所公开的结构中，硅(Si)基板的光入射侧上的钉扎减弱。结果，产生的电荷流入到光电二极管中，这可能使暗特性劣化。例如，可能出现白点或可能产生暗电流。

鉴于上述情况作出了本技术，并且本技术旨在抑制暗特性的劣化。

问题的解决方案

根据本技术一个方面的固态成像装置包括：光电转换部，其执行光电转换；沟槽，其在深度方向上贯通半导体基板，并且形成在设置于相邻像素中的所述光电转换部之间；和形成在所述沟槽的侧壁上的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域，其中所述P型区域具有突出到所述N型区域的下侧的突出区域。

根据本技术一个方面的第一电子设备配备有上述第一固态成像装置。

根据本技术一个方面的第二固态成像装置包括：具有pn结的无机光电转换部和具有有机光电转换膜的有机光电转换部，所述无机光电转换部和所述有机光电转换部在同一像素内从受光面侧沿深度方向层叠；和形成在所述无机光电转换部的侧壁上的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域。

根据本技术一个方面的第二电子设备配备有上述第二固态成像装置。

根据本技术一个方面的第三固态成像装置包括：光电转换部，其执行光电转换；沟槽，其在未贯通半导体基板的情况下形成在所述半导体基板中；形成在所述沟槽的侧壁上的PN结区域，所述PN结区域包括第一P型区域和N型区域；和第二P型区域，其形成在所述光电转换部的受光面侧。

根据本技术一个方面的第三电子设备配备有上述第三固态成像装置。

在根据本技术一个方面的第一固态成像装置中，第一固态成像装置包括：光电转换部，其执行光电转换；沟槽，其在深度方向上贯通半导体基板，并且形成在设置于相邻像素中的所述光电转换部之间；和形成在所述沟槽的侧壁上的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域，其中所述P型区域具有突出到所述N型区域的下侧的突出区域。

根据本技术一个方面的第一电子设备配备有第一固态成像装置。