[发明专利]用于存储器装置的内部写入调整有效
申请号: | 201880070417.1 | 申请日: | 2018-10-15 |
公开(公告)号: | CN111279416B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | D·B·彭妮 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C7/22 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 存储器 装置 内部 写入 调整 | ||
1.一种存储器装置,其包括:
命令接口,其被配置成接收写入命令;和
内部写入调整电路,其被配置成:
从所述命令接口接收所述写入命令;
从所述所接收的写入命令产生内部写入信号IWS;
使用写入均衡使数据选通DQS信号过移位到致使所述存储器装置偏离交互的规范的点或过移位到致使所述存储器装置通信失败的点;和
通过使所述IWS的转变边沿在DQS周期中居中,基于写入前导长度选择性地使所述IWS移位以补偿所述过移位。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其包括放大器,所述放大器被配置成接收外部DQS信号并且产生所述DQS信号作为内部DQS信号。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述DQS周期当所述DQS信号从不确定转变状态时开始。
4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述DQS周期当所述DQS信号的最末边沿在第一写入位发生之前发生时结束。
5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述内部写入调整电路包括被配置成使所述DQS信号过移位的写入均衡移位器。
6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述内部写入调整电路包括多路复用器,所述多路复用器被配置成:
响应于对应于第一组写入前导长度的第一组模式寄存器指示,选择所述IWS的第一副本;和
响应于对应于第二组写入前导长度的第二组模式寄存器指示,选择所述IWS的第二副本。
7.根据权利要求6所述的存储器装置,其中所述第一组写入前导长度小于或等于阈值写入前导长度,且所述第二组写入前导长度大于所述阈值写入前导长度。
8.根据权利要求7所述的存储器装置,其中所述阈值写入前导长度包括写入前导长度1tCK。
9.根据权利要求6所述的存储器装置,其中所述IWS的所述第一副本包括所述IWS的未移位副本,且所述IWS的所述第二副本包括所述IWS的经移位副本。
10.根据权利要求9所述的存储器装置,其中所述内部写入调整电路包括使所述IWS的所述第二副本从所述IWS的所述第一副本移位的锁存器。
11.根据权利要求6所述的存储器装置,其中所述多路复用器被配置成当写入均衡未启用时选择所述IWS的所述第一副本,并且当写入均衡启用且写入的写入前导长度落到所述第二组写入前导长度中时选择所述IWS的所述第二副本。
12.一种用于操作存储器装置的方法,其包括:
在存储器装置处接收数据选通DQS信号;
使所述DQS信号在相对于所述存储器装置的时钟的负方向上移位以引起所述存储器装置的触发器的失效点;
在引起所述失效点之后,使所述DQS信号在相对于所述时钟的正方向上移位;和
使内部写入信号IWS的转变边沿在DQS周期中居中,其中所述IWS指示将捕获写入命令,且通过选择性地使所述IWS在所述负方向上延迟来使所述转变边沿居中。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述触发器的所述失效点包括归因于用于所述触发器捕获所述IWS的负设置时间而致使通过所述DQS信号捕获所述IWS失败。
14.根据权利要求12所述的方法,其中使所述DQS信号在所述正方向上移位包括使用写入均衡移位器应用写入均衡。
15.根据权利要求12所述的方法,其中选择性地使所述IWS延迟包括:
当写入前导长度大于阈值时,使所述IWS在所述负方向上延迟;和
当所述写入前导长度小于阈值时,放弃所述正方向上的所述IWS延迟。
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