[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一芯片，其被构成为作为脉冲信号的发送侧；

第二芯片，其被构成为作为上述脉冲信号的接收侧；以及

第三芯片，其被构成为使用集成变压器将上述第一芯片与上述第二芯片之间电绝缘，同时将上述脉冲信号从上述第一芯片传输到上述第二芯片，

上述第二芯片和上述第三芯片分别具备被构成为经由接合线从前级的芯片接受上述脉冲信号的输入的第一电极，

在各芯片的上述第一电极中的至少一个的下部区域中，设置有被构成为与上述第一电极电绝缘并连接到基准电位端的第二电极，

在俯视观察下，上述第二电极具有大于上述第一电极的面积，经由在与上述第一电极不重合的位置设置的通孔与连接到上述基准电位端的焊盘连接。

2.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一芯片，其被构成为作为脉冲信号的发送侧；

第二芯片，其被构成为作为上述脉冲信号的接收侧；以及

第三芯片，其被构成为使用集成变压器将上述第一芯片与上述第二芯片之间电绝缘，同时将上述脉冲信号从上述第一芯片传输到上述第二芯片，

上述第二芯片和上述第三芯片分别具备被构成为经由接合线从前级的芯片接受上述脉冲信号的输入的第一电极，

在各芯片的上述第一电极中的至少一个的下部区域中，设置有被构成为与上述第一电极电绝缘并连接到基准电位端的第二电极，

在上述第一电极和上述第二电极之间，设有至少一层与上述第二电极短路的中间电极。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在上述第一电极和上述第二电极之间，交替层叠有至少一层与上述第一电极短路的第一中间电极和至少一层与上述第二电极短路的相当于第二中间电极的所述中间电极。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

使用金属层或多晶硅层形成上述第二电极。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一芯片具备调整上述脉冲信号的脉冲宽度的功能。

6.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

通过将初级电路系统与次级电路系统电绝缘的同时进行相互间的信号传输，来作为绝缘型开关电源的控制主体发挥功能。

7.一种绝缘型开关电源，其特征在于，具有：

权利要求6所述的半导体装置；以及

由上述半导体装置控制的开关输出级。

8.根据权利要求7所述的绝缘型开关电源，其特征在于，

上述开关输出级作为DC/DC转换部的构成要素发挥功能，该DC/DC转换部被构成为使用变压器将初级电路系统与次级电路系统电绝缘，同时由供给到上述初级电路系统的直流输入电压生成直流输出电压并供给到上述次级电路系统的负载。

9.根据权利要求8所述的绝缘型开关电源，其特征在于，

还具有：整流部，其被构成为由交流输入电压生成上述直流输入电压。

10.一种电子设备，其特征在于，具有：

根据权利要求7至9中任意一项所述的绝缘型开关电源；以及

负载，其被构成为从上述绝缘型开关电源接受电力供给来运行。

11.一种芯片，其特征在于，

该芯片是将第一电极和第二电极集成化而形成的，

上述第一电极被构成为经由接合线接受脉冲信号的输入，

上述第二电极被构成为设置在上述第一电极的下部区域，与上述第一电极电绝缘并连接到基准电位端，

在俯视观察下，上述第二电极具有大于上述第一电极的面积，经由在与上述第一电极不重合的位置设置的通孔与连接到上述基准电位端的焊盘连接。