[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201880070579.5 | 申请日: | 2018-10-09 |
公开(公告)号: | CN111295746B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 佐藤好则;原英夫 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/04;H02M3/28;H04L25/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 曾贤伟;郝庆芬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
本发明的半导体装置具有:作为脉冲信号的发送侧的第一芯片;作为脉冲信号的接收侧的第二芯片;以及第三芯片,其使用集成变压器将第一芯片与第二芯片之间电绝缘,同时将脉冲信号从第一芯片传输到第二芯片。第二芯片和第三芯片分别具备用于经由前级的接合线接受脉冲信号的输入的第一电极。在各芯片的第一电极中的至少一个的下部区域中,设置有与第一电极电绝缘并连接到基准电位端的第二电极。由此,能够形成LC低通滤波器,从而可以降低脉冲信号的噪声。
技术领域
本说明书中公开的发明涉及一种处理脉冲信号的半导体装置(例如复合隔离器)。
背景技术
以往,例如在用作车载设备、工业设备等的电源的AC/DC转换器和DC/DC转换器领域中,存在一种使用隔离器将初级电路系统和次级电路系统进行磁耦合,同时保持二者的绝缘性的技术。
作为上述相关以往技术的一例,可以举出专利文献1。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-187821号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,在隔离器周围产生大量开关噪声的环境中,难以准确地传输脉冲信号,尤其在输入电压较高的AC/DC转换器中,存在隔离器中产生的噪声电平大的问题。
另外,上述问题不仅仅存在于在隔离器中,而是普遍存在于所有处理脉冲信号的半导体装置中。
鉴于本申请的发明人所发现的上述问题,本说明书中公开的发明的目的在于,提供一种能够降低脉冲信号的噪声的半导体装置。
用于解决课题的手段
本说明书中公开的半导体装置被设为如下结构(第一结构):具有:作为脉冲信号的发送侧的第一芯片;作为上述脉冲信号的接收侧的第二芯片;以及第三芯片,其使用集成变压器将上述第一芯片与上述第二芯片之间电绝缘,同时将上述脉冲信号从上述第一芯片传输到上述第二芯片,上述第二芯片和上述第三芯片分别具备用于经由接合线(bondingwire)从前级的芯片接受上述脉冲信号的输入的第一电极,在各芯片的第一电极中的至少一个的下部区域中,设置有与上述第一电极电绝缘并连接到基准电位端的第二电极。
此外,在由第一结构构成的半导体装置中,可以形成为如下结构(第二结构):用金属层或多晶硅层形成上述第二电极。
此外,在由第一或第二结构构成的半导体装置中,可以形成为如下结构(第三结构):在俯视观察下,上述第二电极具有等于或大于上述第一电极的面积。
此外,在由第一至第三结构中的任意一个结构构成的半导体装置中,可以形成为如下结构(第四结构):在上述第一电极和上述第二电极之间,设有至少一层与上述第一电极和上述第二电极中的一个短路的中间电极。
此外,在由第四结构构成的半导体装置中,可以形成为如下结构(第五结构):在上述第一电极和上述第二电极之间,作为上述中间电极,交替层叠有至少一层与上述第一电极短路的第一中间电极和至少一层与上述第二电极短路的第二中间电极。
此外,在由第一至第五结构中的任意一个结构构成的半导体装置中,可以形成为如下结构(第六结构):上述第一芯片具备调整上述脉冲信号的脉冲宽度的功能。
此外,在由第一至第六结构中的任意一个结构构成的半导体装置中,可以形成为如下结构(第七结构):通过将初级电路系统与次级电路系统电绝缘的同时进行相互间的信号传输,来作为绝缘型开关电源的控制主体发挥功能。
此外,本说明书中公开的绝缘型开关电源被设为如下结构(第八结构):具有:由第七结构构成的半导体装置;以及由上述半导体装置控制的开关输出级。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造