[发明专利]差分输入级

权利要求书

1.一种差分输入级，其包括：

第一n型金属氧化物半导体晶体管NMOS对，所述第一NMOS对耦接到第一输入和第二输入；

第二NMOS对，所述第二NMOS对耦接到所述第一输入、第一输出节点、所述第二输入和第二输出节点；

第一二极管，所述第一二极管耦接到所述第一NMOS对和所述第一输出节点；

第二二极管，所述第二二极管耦接到所述第一NMOS对和所述第二输出节点；以及

级联电流源，所述级联电流源耦接到所述第一NMOS对和所述第二NMOS对。

2.根据权利要求1所述的差分输入级，其中所述第一NMOS对包括被配置为第一差分放大器的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，其中所述第二NMOS对包括被配置为第二差分放大器的第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管，其中所述第一NMOS晶体管耦接到所述第一输入，其中所述第二NMOS晶体管耦接到所述第二输入，其中所述第三NMOS耦接到所述第一输入和所述第一输出节点，并且其中所述第四NMOS耦接到所述第二输入和所述第二输出节点。

3.根据权利要求2所述的差分输入级，其中所述第一二极管耦接在所述第一NMOS晶体管与所述第一输出节点之间，并且其中所述第二二极管耦接在所述第二NMOS晶体管与所述第二输出节点之间。

4.根据权利要求1所述的差分输入级，其中所述级联电流源包括耦接到所述第一NMOS对的第五NMOS晶体管、耦接到所述第二NMOS对的第六NMOS晶体管和耦接在所述第五NMOS晶体管、所述第六NMOS晶体管与接地电压电位之间的第七NMOS晶体管。

5.根据权利要求4所述的差分输入级，其中所述第七NMOS晶体管被配置成将所述第一NMOS对和所述第二NMOS对的尾电流灌入到所述接地电压电位。

6.根据权利要求4所述的差分输入级，其中所述第六NMOS晶体管的晶体管宽度大于所述第五NMOS晶体管的晶体管宽度。

7.根据权利要求6所述的差分输入级，其进一步包括恒定电流源和第二级联电流源，其中所述第二级联电流源耦接在所述恒定电流源与所述接地电压电位之间，并且其中所述第二级联电流源进一步耦接到所述级联电流源并且被配置成向所述级联电流源提供参考值，以至少部分地控制所述级联电流源。

8.根据权利要求7所述的差分输入级，其中所述第二级联电流源包括第八NMOS晶体管和第九NMOS晶体管，其中所述第八NMOS晶体管耦接在所述恒定电流源与所述第九NMOS晶体管之间，并且其中所述第九NMOS晶体管耦接在所述第八NMOS晶体管与所述接地电压电位之间。

9.根据权利要求8所述的差分输入级，其中所述第八NMOS晶体管的晶体管宽度基于所述第五NMOS晶体管的所述晶体管宽度，以配置所述第八NMOS晶体管和所述第五NMOS晶体管。

10.根据权利要求1所述的差分输入级，其中所述差分输入级被配置成基于接收到的输入信号输出信号，其中所述输出信号具有由所述差分输入级确定的增益，其中所述第一NMOS对以低输入电压电平贡献大部分所述增益，并且其中所述第二NMOS对以高输入电压电平贡献所述大部分所述增益。