[发明专利]半导体器件

说明书

半导体器件包括第1导电板、第2导电板、多个第1开关元件、多个第2开关元件、第1电源端子和第2电源端子。上述第1导电板、第2导电板在第1方向上彼此隔开间隔地配置。上述多个第1开关元件与上述第1导电板接合，且与上述第2导电板导通。上述多个第2开关元件与上述第2导电板接合。上述第1电源端子与上述第1导电板接合。在俯视时，上述第2电源端子具有与上述第1电源端子重叠的区域。上述第2电源端子在与上述第1方向正交的厚度方向上，与上述第1导电板和上述第1电源端子隔开间隔地配置。上述第2电源端子与上述多个第2开关元件导通。

技术领域

本发明涉及具有多个开关元件的半导体器件。

背景技术

以往，提案有多种包括多个开关元件(功率MOSFET或IGBT)的半导体器件(功率模块)。这样的半导体器件能够用于构成DC-DC转换器这样的进行电力转换的装置的一部分。例如，下述专利文献1公开了包括多个开关元件的现有的半导体器件的一例。在该现有半导体器件中，在绝缘基片形成有由金属箔构成的导电层，该导电层与多个开关元件接合。

在开关元件工作时，从该元件产生热，由此，导电层的温度上升。在上述现有的半导体器件中，将较薄的金属箔用于导电层，因此，导电层的对于热传导的阻力较高。因此，在位于工作中的各开关元件的周边的导电层部分，存在高温状态持续的倾向。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-158787号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明是鉴于上述情况而完成的，其课题在于提供散热性比以往提高的半导体器件。

用于解决课题的技术方案

由本发明的第1方面提供的半导体器件包括：绝缘层，其具有朝向厚度方向的主面；第1导电板和第2导电板，其与上述主面接合，且在相对于上述厚度方向正交的第1方向上彼此隔开间隔；多个第1开关元件，其与上述第1导电板电接合，且与上述第2导电板导通；多个第2开关元件，其与上述第2导电板电接合；第1电源端子，其与上述第1导电板电接合；和第2电源端子，其配置为在上述厚度方向上相对于上述第1导电板和上述第1电源端子的任一者均隔开间隔，且与多个上述第2开关元件导通，在上述结构中，上述第1导电板和上述第2导电板的厚度比上述绝缘层的厚度大。

由本发明的第2方面提供的半导体器件包括：第1导电板，其具有与该第1导电板的厚度方向正交的第1主面；第2导电板，其具有与上述厚度方向正交的第2主面，且在与上述厚度方向正交的第1方向上与上述第1导电板隔开间隔地配置；多个第1开关元件，其与上述第1导电板电接合，且与上述第2导电板导通；多个第2开关元件，其与上述第2导电板电接合；第1电源端子，其与上述第1导电板电接合；和第2电源端子，其具有从上述厚度方向观察时与上述第1电源端子重叠的区域，并且在上述厚度方向上相对于上述第1导电板和上述第1电源端子隔开间隔地配置，在上述结构中，上述第2电源端子与上述多个第2开关元件导通。

本发明的其他特征和优点通过基于附图在下文进行的详细说明将更为明确。

附图说明

图1是第1方面的第1实施方式的半导体器件的立体图。

图2是上述半导体器件的俯视图。

图3是上述半导体器件的仰视图。

图4是上述半导体器件的主视图。

图5是上述半导体器件的侧视图。

图6是上述半导体器件的俯视图，透视了密封树脂。

图7是与图6对应的俯视图，省略了第2电源端子，并且透视了端子绝缘部件。