[发明专利]硅块的品质判定方法、硅块的品质判定程序及单晶硅的制造方法在审
| 申请号： | 201880070815.3 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111601916A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 斋藤康裕;工藤智司;仓垣俊二;金大基 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 品质 判定 方法 程序 单晶硅 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅块的品质判定方法，判定从利用提拉法提拉的单晶硅中切出的多个硅块的品质，所述硅块的品质判定方法的特征在于执行：
取得从多个硅块各自的端部切出的样品晶片的品质评价结果的步骤；
取得所述单晶硅的提拉实际数据的步骤；
根据各样品晶片的品质评价结果，设定各硅块的提拉管理范围的步骤；以及
对照所取得的所述提拉实际数据和所设定的提拉管理范围，判定各硅块的品质的步骤。
2.根据权利要求1所述的硅块的品质判定方法，其特征在于，
在设定所述管理范围的步骤之前，在所述样品晶片的品质评价结果中，若取得显示L/DL不良的结果，则执行排除显示该结果的硅块的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的硅块的品质判定方法，其特征在于，
在设定所述管理范围的步骤之前，在所述样品晶片的品质评价结果中，若取得显示Void不良的结果，则执行排除显示该结果的硅块的步骤。
4.一种硅块的品质判定程序，其特征在于，
使计算机执行权利要求1至3中任一项所述的硅块的品质判定方法。
5.一种单晶硅的制造方法，其特征在于执行：
使计算机执行权利要求4所述的硅块的品质判定程序，设定提拉单晶硅时的提拉管理范围的步骤；以及
根据所设定的提拉管理范围，控制所述单晶硅的提拉的步骤。
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