[发明专利]硅块的品质判定方法、硅块的品质判定程序及单晶硅的制造方法

说明书

一种硅块的品质判定方法，其判定从利用提拉法提拉的单晶硅中切出的多个硅块的品质，在该硅块的品质判定方法中执行：取得从多个硅块各自的端部切出的样品晶片的品质评价结果的步骤(S2)；取得单晶硅的提拉实际数据的步骤(S3)；根据各样品晶片的品质评价结果，设定各硅块的提拉管理范围的步骤(S6、S7)；以及对照所取得的提拉实际数据和所设定的提拉管理范围，判定各硅块的品质的步骤(S8、S9)。

技术领域

本发明涉及一种硅块的品质判定方法、硅块的品质判定程序及单晶硅的制造方法。

背景技术

以往，在制造硅晶片等半导体晶片时，例如在对利用提拉法提拉的单晶硅锭进行外周磨削后，切掉不能作为产品而使用的顶部与尾部。之后，利用线锯等切断装置，将单晶硅锭切成多个硅块。

此时，从硅块的端部切出样品晶片，通过评价电阻率、氧浓度、OSF(OxidationInduced Stacking Fault ring，氧化诱导层错环)、Void缺陷、L/DL缺陷(LargeDislocation Loop，大位错环)等Grown-in(原生)缺陷等，进行硅块的品质评价。

另外，近年来，强烈地需求在晶片的整个表面中没有原生缺陷或只有极低密度的原生缺陷的晶片，伴随于此，还强烈地需求没有原生缺陷或只有极低密度的原生缺陷的单晶硅。

作为提拉这种单晶硅的方法，例如有改善提拉装置的炉内温度分布，一边调整提拉速度，一边提拉单晶硅的方法。

然而，提拉速度的管理范围非常狭小，因此即使硅块端部的晶体品质合格，若在块中间部提拉速度发生变动，则会有在硅块中产生原生缺陷的情况，因此存在下一个工序中发生不良的问题。

在此，在不良中，将基于L/DL缺陷的检测结果的不良称为L/DL不良，将基于Void缺陷的检测结果的不良称为Void不良。

专利文献1中公开有如下技术：沿着单晶硅锭的生长轴将提拉数据读取到计算机中，当提拉数据与目标值之差成为规定值以上时，在成为规定位置以上的位置切断单晶硅锭，获得没有原生缺陷的硅块。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-99556号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，专利文献1中公开的技术中，由于以使提拉数据与目标值之差成为规定值的方式进行管理，因此不一定与实际的样品晶片的品质评价结果一致。因此，在下一个工序中，排除被判定为不良品的硅块并切断硅块，并且再次进行品质评价的情况下，不知道在哪一个部分发生了不良，因此存在导致品质确认频度增加的问题。

本发明的目的在于提供一种能够降低下一个工序中的品质确认频度的硅块的品质判定方法、硅块的品质判定程序及单晶硅的制造方法。

用于解决技术问题的方案

本发明的硅块的品质判定方法是判定从利用提拉法提拉的单晶硅中切出的多个硅块的品质的硅块的品质判定方法，所述硅块的品质判定方法的特征在于执行：取得从多个硅块各自的端部切出的样品晶片的品质评价结果的步骤；取得所述单晶硅的提拉实际数据的步骤；根据各样品晶片的品质评价结果，设定各硅块的提拉管理范围的步骤；以及对照所取得的所述提拉实际数据和所设定的提拉管理范围，判定各硅块的品质的步骤。

在此，样品晶片的品质评价是指在不存在原生缺陷的单晶硅的Pv区域、Pv区域及Pi区域混合存在的区域以及Pi区域中的品质评价。

并且，提拉管理范围是指相对于提拉目标值能够允许的实际值的范围，其根据样品晶片的品质评价结果来设定。