[发明专利]EUV表膜

权利要求书

1.一种用于光刻设备的表膜，其中，所述表膜包括金属硅氧化物层。

2.根据权利要求1所述的表膜，其中，所述表膜包括硅基底。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的表膜，其中，所述表膜包括金属层。

4.根据权利要求3所述的表膜，其中，所述金属硅氧化物层设置在所述硅基底与所述金属层之间。

5.根据权利要求4所述的表膜，其中，所述金属层中的金属和所述金属硅氧化物中的金属是相同的。

6.根据权利要求5所述的表膜，其中，所述金属选自钌、锆和/或铪。

7.根据权利要求6所述的表膜，其中，所述金属是钌。

8.根据权利要求3至7中任一项所述的表膜，其中，所述金属层的厚度小于或等于约6nm，优选地小于或等于约5nm，更优选地小于或等于约4.5nm，更优选地小于或等于约3.5nm。

9.根据权利要求3至8中任一项所述的表膜，其中，所述金属层在所述硅基底的单侧上。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的表膜，其中，所述表膜包括氮氧化硅盖层。

11.根据权利要求10所述的表膜，其中，所述氮氧化硅盖层设置在一硅基底或所述硅基底上。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的表膜，其中，所述表膜还包括钼层。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的表膜，其中，所述表膜还包括氮氧化硅层。

14.根据从属于权利要求12时的权利要求13所述的表膜，其中，所述钼层设置在所述氮氧化硅层与所述钌层之间。

15.一种用于光刻设备的表膜，所述表膜包括设置在钌层与氮氧化硅层之间的钼层。

16.根据权利要求15所述的表膜，其中，所述钼层和所述钌层中的一个或两个是金属的。

17.根据权利要求16所述的表膜，其中，所述氮氧化硅层设置在硅基底上，优选地设置在多晶硅基底上。

18.一种制造用于光刻设备的表膜的方法，所述方法包括提供金属硅氧化物层。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述表膜包括硅基底和金属层，并且其中，通过将所述表膜加热至比发生反浸湿的温度低的温度达第一时间段来形成所述金属硅氧化物层。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一时间段足以形成所述金属硅氧化物层。

21.根据权利要求19或权利要求20所述的方法，其中，使用激光辐射来进行加热，优选地，其中功率等于或低于约125W_eq。

22.根据权利要求18所述的方法，其中，所述金属硅氧化物层是通过溅射形成的。

23.根据权利要求19至22中任一项所述的方法，其中，在形成所述金属硅氧化物层之后，在所述金属硅氧化物层上形成所述金属层。

24.根据权利要求19至23中任一项所述的方法，其中，所述金属层包括钌。