[发明专利]EUV表膜

说明书

一种包括金属硅氧化物层的表膜。还公开一种表膜，该表膜包括钼层、钌层和氮氧化硅层，其中，钼层设置在钌层和氮氧化硅层之间。还公开了：一种制造用于光刻设备的表膜的方法，该方法包括提供金属硅氧化物层；一种光刻组件(LA)包括表膜(15)，该表膜包括金属硅氧化物层；以及一种包括在光刻设备中的金属硅氧化物层的表膜的用途。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年11月10日提交的EP申请17201126.4和于2018年3月29日提交的EP申请18165122.5的优先权，这些EP申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及用于光刻设备的表膜、制造用于光刻设备的表膜的方法、包括该表膜的光刻设备、以及它们的用途。

背景技术

光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将来自图案化装置(例如掩模)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

被光刻设备用来将图案投影到衬底上的辐射的波长决定了能够在该衬底上形成的特征的最小尺寸。使用EUV辐射(该辐射是电磁辐射，其波长在4-20nm范围内)的光刻设备可以用于在衬底上形成比常规光刻设备(该常规光刻设备例如可以使用波长为193nm的电磁辐射)小的特征。

光刻设备包括图案化装置(例如掩模或掩模版)。辐射通过图案化装置而被提供或者被图案化装置反射，从而在衬底上形成图像。可以提供表膜来保护图形化装置免受空气中的粒子和其他形式的污染。图案化装置的表面的污染可能导致衬底上的制造缺陷。

还可以提供表膜来保护光学部件而不是图案化装置。表膜还可以用于在彼此密封的光刻设备的区域之间提供用于光刻辐射的通道。表膜还可以用作滤光片，例如光谱纯度滤光片。由于光刻设备(特别是EUV光刻设备)中有时存在的恶劣的环境，所以需要表膜来证明优异的化学及热稳定性。

已知的表膜可以包括例如独立式膜(诸如硅膜)、氮化硅、石墨烯或石墨烯衍生物、碳纳米管或其他膜材料。掩模组件可以包括表膜，该表膜保护图案化装置(例如掩模)免受粒子污染。表膜可以由形成表膜组件的表膜框架支撑。可以通过例如将表膜的边界区域粘合到框架上来将表膜附接到框架。框架可以永久性地或者可释放地附接到图案化装置。

在使用过程中，在光刻设备中的表膜的温度升高到约500至1000℃或更高。这些高温可能损坏表膜，因此期望改进散热的方式，以降低表膜的操作温度并改善表膜寿命。

已经尝试的一种方法是在表膜(例如钌膜)上施加薄金属膜(涂层)。金属膜增加了表膜的发射率，从而提高了从表膜发出热量的速率或比率，从而使表膜以与吸收热量相同的速率释放热量的平衡温度降低。

然而，已知在相对较低的温度下沉积在惰性基底上的金属膜处于能量上不利的状态，并且在基底上对薄金属膜的加热或退火导致在远低于金属薄膜的熔点的温度下的热不稳定性。这样，当金属膜被加热时，提供足够的能量以通过表面扩散过程在金属膜中形成孔。这些孔长大并最终聚合而形成不规则形状的岛。膜破裂而形成孔并最终形成岛或微滴的过程称为反浸湿。尽管该过程在某些情况下(例如对于形成用于碳纳米管生长的催化剂粒子)可能是有益的，但是在其他领域中这是非常不期望的。例如，在微电子学领域，反浸湿会导致电气互连失败；并且对于表膜(例如EUV表膜)，反浸湿会改变发射金属层的功能。因此，本发明的目的是抑制或防止金属膜的反浸湿。

由于金属层增加了表膜的热发射率，所以随着表膜的加热，金属膜辐射并控制表膜的温度。当金属膜反浸湿而形成岛时，发射率非常迅速地下降至可忽略的值，从而导致温度显著上升，继而导致表膜失效。