[发明专利]光电转换元件、光传感器、成像元件、化合物有效
申请号: | 201880072270.X | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN111316451B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 吉冈知昭;福崎英治;益子智之 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;C07D495/04;C07D495/14;H01L27/146;H10K85/60;H10K85/20;H10K30/30;H10K30/80;H10K30/82;H10K39/00;H10K39/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张志楠;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 传感器 成像 化合物 | ||
1.一种光电转换元件,其依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜,其中,
所述光电转换膜包含:选自包括式(1)所表示的化合物及式(2)所表示的化合物的组中的至少1种化合物,
[化学式1]
式(1)及(2)中,R1表示氢原子、可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基,
R2表示氢原子或取代基;
X1表示硫原子、氧原子、硒原子、碲原子、-NRa1-、-CRa2Ra3-或-SiRa4Ra5-;
Y1~Y4分别独立地表示-CRa6=或氮原子;
L1表示单键、氧原子、硫原子、硒原子、碲原子、-NRa7-、-CRa8Ra9-、-SiRa10Ra11-或-CO-;
当L1为单键时,Z1及Z2分别独立地表示硫原子、氧原子、硒原子、碲原子、-NRa12-、-CRa13Ra14-、-SiRa15Ra16-或-CO-;
当L1为氧原子、硫原子、硒原子、碲原子、-NRa7-、-CRa8Ra9-、-SiRa10Ra11-或-CO-时,Z1及Z2分别独立地表示硫原子、氧原子、硒原子、碲原子、-NRa12-、-CRa13Ra14-、-SiRa15Ra16-、-CO-或-CRa17=CRa18-;
B1表示-CO-、氧原子、硫原子、硒原子、碲原子、-NRa19-、-CRa20Ra21-或-SiRa22Ra23-;
Ra1~Ra23分别独立地表示氢原子或取代基;
A1表示环;
式(1)中,R1、R2及Ra1~Ra23分别可以相互键合而形成环;
式(2)中,R1、R2及Ra1~Ra23分别可以相互键合而形成环。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社,未经富士胶片株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880072270.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:舞台装置、舞台系统及舞台方法
- 下一篇:具有高E-模量的牙科用组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的