[发明专利]光电转换元件、光传感器、成像元件、化合物有效
申请号: | 201880072270.X | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN111316451B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 吉冈知昭;福崎英治;益子智之 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;C07D495/04;C07D495/14;H01L27/146;H10K85/60;H10K85/20;H10K30/30;H10K30/80;H10K30/82;H10K39/00;H10K39/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张志楠;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 传感器 成像 化合物 | ||
本发明提供一种具有优异的耐热性的光电转换元件。并且,提供一种包括上述光电转换元件的光传感器及成像元件。提供一种适用于上述光电转换元件的化合物。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜,其中光电转换膜包含式(1)或(2)所表示的化合物。
技术领域
本发明涉及一种光电转换元件、光传感器、成像元件及化合物。
背景技术
以往,作为固体成像元件,二维排列有光电二极管(PD:photodiode)并以电路读出由各PD产生的信号电荷的平面型固体成像元件被广泛使用。
为了实现彩色固体成像元件,一般是在平面型固体成像元件的光入射面侧配置使特定波长的光透射的滤色器的结构。当前已知有在二维排列的各PD上有规则地配置有使蓝色(B:blue)光、绿色(G:green)光及红色(R:red)光透射的滤色器的单板式固体成像元件。但是,在该单板式固体成像元件中,没有利用未透射滤色器的光而光利用效率差。
为了解决这些缺点,近年来进行具有在信号读出用基板上配置有有机光电转换膜的结构的光电转换元件的开发。
例如,在专利文献1中,作为适用于光电转换元件的材料,公开有下述式所表示的化合物(权利要求1)。
[化学式1]
以往技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-077064号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
近年来,随着提高成像元件及光传感器等的性能的要求,关于使用于这些的光电转换元件所要求的诸多特性,也要求进一步的提高。
例如,在光电转换元件中要求优异的耐热性。
本发明人使用专利文献1中具体地公开的化合物来制作光电转换元件并评价了所获得的光电转换元件的耐热性,其结果发现了其特性未必一定达到近来所要求的水准,从而需要进一步的提高。
本发明的课题在于鉴于上述实际情况,提供一种具有优异的耐热性的光电转换元件。
并且,本发明的课题还在于提供一种包括上述光电转换元件的光传感器及成像元件。另外,本发明的课题还在于提供一种适用于上述光电转换元件的化合物。
用于解决技术课题的手段
本发明人等对上述课题进行了深入探讨,其结果发现,通过将具有规定结构的化合物用于光电转换膜,能够解决上述课题,以至于完成了本发明。
<1>一种光电转换元件,其依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜,其中,
上述光电转换膜包含选自包括后述的式(1)所表示的化合物及后述的式(2)所表示的化合物的组中的至少1种化合物。
<2>根据<1>所述的光电转换元件,其中,
后述的式(1)所表示的化合物为后述的式(3)所表示的化合物,后述的式(2)所表示的化合物为后述的式(4)所表示的化合物。
<3>根据<1>或<2>所述的光电转换元件,其中,
后述的式(1)~(4)中,L1表示单键或-CRa8Ra9-。
<4>根据<1>~<3>中任一项所述的光电转换元件,其中,
后述的式(1)~(4)中,X1表示硫原子、氧原子或硒原子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的