[发明专利]用于极端翘曲晶片的衬底处置设备

说明书

本发明提供一种衬底处置设备。所述衬底处置设备可包含叉形结构，其具有经布置以提供对衬底的背面的接取的一或多个支撑部分。所述衬底处置设备还可包含经配置以将所述衬底处置设备耦合到所述衬底的所述背面的第一主动支撑元件及第二主动支撑元件。在放置于所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件上之后，所述衬底可倾斜或斜靠以沿所述叉形结构产生至少一第三被动接触点。产生至少一第三被动接触点可提高翘曲衬底的衬底处置及控制能力。

相关申请案的交叉参考

本申请案根据35U.S.C.§119(e)的规定主张名叫巴拉吉·拉加万(BalajeeRaghavan)及安德烈·雅科夫列夫(Andrey Yakovlev)的发明者在2017年10月27日申请的标题为“用于极端翘曲硅晶片的处置装置的末端效应器(END EFFECTOR FOR HANDLINGDEVICE FOR EXTREME WARPED SILICON WAFERS)”的序列号为62/578,251的美国临时申请案的权益，所述美国临时申请案以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及样本检验，且更特定来说，本发明涉及一种用于处置翘曲衬底的衬底处置设备。

背景技术

半导体样本检验需要小心处置例如硅晶片的样本。然而，先前晶片处置方法无法适当处置各种形状及大小的晶片。例如，先前处置方法无法处置例如翘曲300mm晶片的翘曲晶片。先前晶片处置方法可包含边缘接触法、3X真空吸盘法及重力法。边缘接触处置法无法处置各种样本衬底厚度以导致不稳定处置。类似地，3X真空吸盘法无法有效处置各种晶片形状(其包含翘曲晶片)。最后，在重力法下，处置工具无法高速移动，从而导致低生产率。因此，期望提供一种解决上述先前方法的一或多处不足的系统及方法。

发明内容

根据本发明的一或多个实施例来揭示一种衬底处置设备。在一个实施例中，所述衬底处置设备包含叉形结构。在另一实施例中，所述叉形结构包含第一支撑部分及第二支撑部分。在另一实施例中，所述第一支撑部分及所述第二支撑部分经布置以提供对衬底的背面的接取以将所述衬底放置于支撑结构上。在另一实施例中，所述衬底处置设备包含安置于所述叉形结构上的第一主动支撑元件及第二主动支撑元件。在一个实施例中，所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件安置于所述叉形结构的所述第一支撑部分与所述第二支撑部分之间。在另一实施例中，所述衬底处置设备包含安置于所述叉形结构上的多个被动支撑元件。在另一实施例中，所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件经配置使得所述衬底的重心定位于所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件的前面。

根据本发明的一或多个实施例来揭示一种衬底处置设备。在一个实施例中，所述衬底处置设备包含叉形结构。在一个实施例中，所述叉形结构包含第一支撑部分及第二支撑部分。在另一实施例中，所述第一支撑部分及所述第二支撑部分经布置以提供对衬底的背面的接取以将所述衬底放置于支撑结构上。在另一实施例中，所述衬底处置设备包含安置于所述叉形结构上的第一主动支撑元件及第二主动支撑元件。在另一实施例中，所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件安置于所述叉形结构的所述第一支撑部分与所述第二支撑部分之间。在另一实施例中，所述衬底处置设备包含安置于所述叉形结构上的一或多个被动支撑元件。在另一实施例中，所述第一主动支撑元件及所述第二主动支撑元件经配置使得所述衬底的重心定位于所述第一吸取元件及所述第二吸取元件的前面。