[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法

权利要求书

1.一种光电子半导体器件(1)，所述光电子半导体器件具有：

-半导体层序列(10)，所述半导体层序列具有第一传导类型的第一半导体层(101)、所述第一传导类型的第二半导体层(102)和适合于产生电磁辐射的有源层(103)，其中所述有源层(103)设置在所述第一半导体层(101)和所述第二半导体层(102)之间，

-第一电接合层(141)和与所述第一电接合层(141)横向间隔开的第二电接合层(142)，所述第二电接合层电接触所述有源层(103)，

-第二传导类型的第一接触区(121)，所述第一接触区邻接于所述第一电接合层(141)并且与所述第一电接合层(141)导电地连接，

-至少一个在所述第一电接合层(141)和所述第二电接合层(142)之间构成的功能区域(160)，在所述功能区域中构成有第二传导类型的第二接触区(122)和第二传导类型的至少一个屏蔽区(130)，其中

--所述第二接触区(122)邻接于电连接层(143)并且与所述电连接层(143)导电地连接，

--所述电连接层(143)在所述半导体层序列(10)之外伸展并且在电连接区域(150)中接触所述第二半导体层(102)，并且

--所述屏蔽区(130)设置在所述第二接触区(122)和所述电连接区域(150)之间并且相对于所述电连接层(143)电绝缘，并且

--所述第一接触区(121)、所述第二接触区(122)和所述屏蔽区(130)从所述第二半导体层(102)开始延伸直至所述第一半导体层(101)并且完全地穿透所述有源层(103)。

2.根据上一项权利要求所述的光电子半导体器件(1)，

其中所述屏蔽区(130)减少载流子在所述半导体层序列(10)之内沿横向方向的流动。

3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，

其中在所述第二半导体层(102)和所述第一电接合层(141)之间和/或在所述第二半导体层(102)和所述电连接层(143)之间设置有所述第一传导类型的弱掺杂的第二接触层(182)。

4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，

其中所述半导体层序列(10)的至少一个半导体层基于磷化物化合物半导体材料。

5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，

其中所述半导体层序列(10)的至少一个半导体层基于砷化物化合物半导体材料。

6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，

其中所述第一传导类型通过用硅、碲和/或锡的n型掺杂来制造。

7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，

其中所述第二传导类型通过用镁和/或锌的p型掺杂来制造。

8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，

其中所述第一半导体层的背离所述有源层的侧具有粗糙化的或结构化的表面。

9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，

其中所述第一半导体层(101)的背离所述有源层(103)的侧不具有电接合层(141，142)。

10.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，

其中从所述第二半导体层(102)开始，留空部(190)朝所述第一半导体层(101)的方向延伸，

-所述留空部完全地穿透所述有源层(103)，

-所述留空部设置在所述第二接触区(122)和所述电连接区域(150)之间，并且

-所述留空部由电介质填充。

11.根据上一项权利要求所述的光电子半导体器件(1)，

其中所述留空部(190)完全地设置在屏蔽区(130)之内。