[发明专利]光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法

说明书

提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有半导体层序列，所述半导体层序列具有：第一传导类型的第一和第二半导体层；适合于产生电磁辐射的有源层；第一电接合层和与所述第一电接合层横向间隔开的第二电接合层，所述第二电接合层电接触第二半导体层；以及第二传导类型的第一接触区，所述第一接触区邻接于第一电接合层并且与第一电接合层导电地连接。并且包括至少一个在第一和第二接合层之间构成的功能区域，在所述功能区域中构成有第二传导类型的第二接触区和至少一个第二传导类型的屏蔽区。此外，提出一种用于制造光电子半导体器件的方法。

技术领域

提出一种光电子半导体器件和一种用于制造光电子半导体器件的方法。光电子半导体器件尤其可以是发射辐射的光电子器件，所述光电子器件在运行中发射电磁辐射，例如光。

发明内容

要实现的目的在于，提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有改善的效率。

另一目的在于，提出一种用于制造这种光电子半导体器件的方法。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，光电子半导体器件包括半导体层序列，所述半导体层序列具有第一传导类型的第一半导体层、第一传导类型的第二半导体层和适合于产生电磁辐射的有源层。有源层设置在第一半导体层和第二半导体层之间。优选地，半导体层外延生长。有源层优选包括pn结、双异质结构、单量子阱(SQW，Single QuantumWell)或特别优选多量子阱结构(MQW，Multi Quantum Well)以产生辐射。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，光电子半导体器件包括第一电接合层和与第一电接合层横向间隔开的第二电接合层，所述第二电接合层电接触第二半导体层。在此将术语“接触”理解为，相关的接合层间接地或直接地至少局部地邻接于第二半导体层并且与第二半导体层电连接，优选在构成欧姆接触的条件下。第一电接合层和第二电接合层例如借助金属、金属合金或透明导电氧化物形成并且用于光电子半导体器件的电接触。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，光电子半导体器件包括第二传导类型的第一接触区，所述第一接触区邻接于第一电接合层并且导电地与第一电接合层连接。第一接触区例如可以具有p型传导类型并且设计用于注入空穴。尤其，第一接触区可以形成从第一电接合层到有源层的导电的接触路径。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，光电子半导体器件包括至少一个在第一电接合层和第二电接合层之间构成的功能区域，在所述功能区域中构成有第二传导类型的第二接触区和第二传导类型的至少一个屏蔽区，其中第二接触区邻接于电连接层并且与电连接层导电地连接。电连接层设置在半导体层序列之外并且在电连接区域中接触第二半导体层。也就是说，电连接层间接地或直接地至少局部地邻接于第二半导体层并且与第二半导体层电连接，优选在构成欧姆接触的条件下。由此，电连接层建立在电连接区域和第二接触区之间的导电路径。

屏蔽区设置在第二接触区和电连接区域之间并且相对于电连接层电绝缘。屏蔽区例如用于在第一接触区和电连接区域之间屏蔽载流子，使得在半导体层序列之内在第一接触区和电连接区域之间抑制载流子流。由此仿佛得出第二电接合层、第二接触区、电连接区域、第一接触区和第一电接合层的串联连接。这引起将用于产生辐射的载流子双重注入到有源层中，一方面在第一电接合层和电连接区域之间的区域中，并且另一方面在第二接触区和第二电接合层之间的区域中。

根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，第一接触区、第二接触区和屏蔽区从第二半导体层开始延伸直至第一半导体层并且完全地穿透有源层。

根据至少一个实施方式，光电子半导体器件包括：

-半导体层序列，所述半导体层序列具有第一传导类型的第一半导体层、第一传导类型的第二半导体层和适合于产生电磁辐射的有源层，其中有源层设置在第一半导体层和第二半导体层之间，

-第一电接合层和与所述第一电接合层横向间隔开的第二电接合层，所述第二电接合层电接触第二半导体层，