[发明专利]卡盘板、具有所述卡盘板的卡盘结构物及具有卡盘结构物的焊接装置

说明书

卡盘结构物的卡盘板可以放置于加热盘上，可以在上面支撑晶片，可以将所述加热盘中产生的热传递至所述晶片，以加热所述晶片，可以为了利用真空力吸附所述晶片而具有真空孔及真空槽，其中，所述真空孔上下贯通，所述真空槽配备于所述卡盘版的下部面，并被所述加热盘的上部面限定而形成空间，以真空吸附于所述加热盘。

技术领域

本发明涉及卡盘板、具有所述卡盘板的卡盘结构物及具有卡盘结构物的焊接装置，更详细而言，涉及一种用于固定晶片的卡盘板、具有所述卡盘板的卡盘结构物及具有卡盘结构物的焊接装置。

背景技术

最近，为了应对半导体封装等电子部件的小型化要求，开发了层叠多个电子部件而形成层叠晶元封装的技术。

所述层叠晶元封装作为在封装基板上层叠有晶元的半导体封装，可以实现高集成化。所述层叠晶元封装在晶元级(chip level)或晶片级(wafer level)上进行製造。

为了在所述晶元级或晶片级上製造层叠晶元封装，执行对晶元与晶元或晶片与晶片或晶元与晶片施加热和压力并焊接所需的作业，将执行这种作业的装置称为焊接装置。所述焊接装置在利用卡盘结构支撑所述晶元的状态下，利用焊接头在所述晶片上层叠所述晶元，利用焊接头对所述晶片和晶元进行热压焊接。

所述卡盘结构物由内置发热体的加热盘及将所述加热盘中发生的热传递给所述晶片的卡盘板构成。

所述卡盘板由导热率高的氮化铝材质构成，因而可以容易地急速加热所述晶片。但是，由于所述卡盘板的导热率高，因而在所述焊接工序中始终预热所述晶片时，发生所述晶片与所述晶元之间的软钎焊物质被压碎的现象。因此，会在所述晶片与所述晶元之间发生焊接不良。

所述卡盘结构物为了真空吸附所述晶片而具有真空孔。所述真空孔以所述卡盘结构物的中心为基准呈辐射状形成，因而位于最外侧的真空孔之间的间隔相对较宽。因此，所述卡盘结构物的边缘部位的真空吸附力相对较低，所述晶片会无法完全贴紧所述卡盘结构物。

发明内容

技术问题

本发明提供一种卡盘板，其导热率相对较低，位于最外侧的真空孔的间隔相对较窄地配备。

本发明提供一种具有所述卡盘板的卡盘结构物。

本发明提供一种具有所述卡盘结构物的焊接装置。

技术方案

根据本发明的卡盘板可以放置于加热盘上，可以在上面支撑晶片，可以将所述加热盘中产生的热传递至所述晶片，以加热所述晶片，可以为了利用真空力吸附所述晶片而具有真空孔及真空槽，其中，所述真空孔上下贯通，所述真空槽配备于所述卡盘版的下部面，并被所述加热盘的上部面限定而形成空间，以真空吸附于所述加热盘。

根据本发明的一实施例，所述卡盘板可以利用在氧化铝中添加了钛的材质构成，以使所述卡盘板具有比氮化铝导热率低的导热率。

根据本发明的一实施例，可以在所述卡盘板中相对于所述氧化铝100重量份添加了所述钛10至20重量份。

根据本发明的一实施例，所述卡盘板的导热率可以为5W/m·k至20W/m·k。

根据本发明的一实施例，为了使所述晶片也在所述卡盘板的边缘贴紧，位于所述卡盘板的最外侧的真空孔的间隔可以配置为相比于所述最外侧位于内侧的真空孔的间隔窄。