[发明专利]带第一保护膜的半导体芯片及其制造方法、及半导体芯片-第一保护膜层叠体的评价方法在审
| 申请号： | 201880072999.7 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN111357088A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 四宫圭亮;佐藤明德 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;G01N23/2209;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一 保护膜 半导体 芯片 及其 制造 方法 层叠 评价 | ||
1.一种带第一保护膜的半导体芯片，其具备半导体芯片、与形成于所述半导体芯片的具有凸块的面上的第一保护膜，
在通过能量色散X射线光谱法对所述凸块的头顶部进行分析，测定碳的检测信号的强度S(C)与锡的检测信号的强度S(Sn)时，S(C)/S(Sn)的值为0.32以下。
2.一种带第一保护膜的半导体芯片的制造方法，其为权利要求1所述的带第一保护膜的半导体芯片的制造方法，其具备以下工序：
在半导体晶圆的具有凸块的面上贴附固化性树脂膜的工序；
通过使贴附后的所述固化性树脂膜固化，从而形成第一保护膜的工序；以及
通过分割所述半导体晶圆，从而得到半导体芯片的工序，
在所述贴附固化性树脂膜的工序中，以使所述S(C)/S(Sn)的值为0.32以下的方式，使所述凸块的头顶部从所述固化性树脂膜中突出，或
在所述贴附固化性树脂膜的工序后，进一步具备以使所述S(C)/S(Sn)的值为0.32以下的方式降低所述凸块上的残留物的量的工序。
3.一种半导体芯片-第一保护膜层叠体的评价方法，其为具备半导体芯片、与形成于所述半导体芯片的具有凸块的面上的第一保护膜的半导体芯片-第一保护膜层叠体的评价方法，其中，
通过能量色散X射线光谱法对所述半导体芯片-第一保护膜层叠体中的所述凸块的头顶部进行分析，测定碳的检测信号的强度S(C)与锡的检测信号的强度S(Sn)，当S(C)/S(Sn)的值为0.32以下时，将所述半导体芯片-第一保护膜层叠体判定为目标的带第一保护膜的半导体芯片，当S(C)/S(Sn)的值大于0.32时，将所述半导体芯片-第一保护膜层叠体判定为并非目标的带第一保护膜的半导体芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
