[发明专利]带第一保护膜的半导体芯片及其制造方法、及半导体芯片-第一保护膜层叠体的评价方法

说明书

本实施方式的带第一保护膜的半导体芯片具备半导体芯片、与形成于所述半导体芯片的具有凸块的面上的第一保护膜，在通过能量色散X射线光谱法对所述凸块的头顶部进行分析，测定碳的检测信号的强度S(C)与锡的检测信号的强度S(Sn)时，S(C)/S(Sn)的值为0.32以下。

技术领域

本发明涉及一种带第一保护膜的半导体芯片、带第一保护膜的半导体芯片的制造方法、及半导体芯片-第一保护膜层叠体的评价方法。

本申请基于于2017年11月17日在日本申请的日本专利申请第2017-221985号要求优先权，并在此引用其内容。

背景技术

以往，在将用于MPU或门阵列等的多销LSI封装安装在印刷布线基板上时，采用有倒装芯片安装方法，其中，作为半导体芯片，使用在其连接压焊点部形成有由共晶焊料、高温焊料、金等形成的凸状电极(以下，在本说明书中将其称为“凸块”)的半导体芯片，并通过所谓的倒装方式，使这些凸块与芯片装载用基板上的相对应的端子部相对并接触，进行溶融/扩散接合。

该安装方法中使用的半导体芯片例如可通过以下方式得到：对在电路面上形成有凸块的半导体晶圆的与电路面(换言之，凸块形成面)为相反侧的面进行磨削，或切割半导体晶圆而进行单颗化。在得到上述半导体芯片的过程中，通常以保护半导体晶圆的凸块形成面及凸块为目的，在凸块形成面上贴附固化性树脂膜，并使该膜固化，在凸块形成面上形成保护膜。

固化性树脂膜通常以通过加热而软化的状态贴附在半导体晶圆的凸块形成面上。由此，包括凸块的头顶部的上部贯穿固化性树脂膜，并从固化性树脂膜中突出。另一方面，固化性树脂膜以覆盖半导体晶圆的凸块的方式在凸块间扩展，与凸块形成面密合，并同时覆盖凸块的表面，特别是凸块形成面的附近部位的表面，从而包埋凸块。然后，固化性树脂膜通过进一步固化，覆盖半导体晶圆的凸块形成面与凸块的凸块形成面的附近部位的表面，成为保护这些区域的保护膜。进一步，半导体晶圆被单颗化为半导体芯片，最终成为在凸块形成面上具备保护膜的半导体芯片(在本说明书中，有时将其称为“带保护膜的半导体芯片”)。

上述带保护膜的半导体芯片装载在基板上并成为半导体封装，进一步使用该半导体封装，构成目标的半导体装置。为了使半导体封装及半导体装置正常地发挥功能，需要不阻碍带保护膜的半导体芯片的凸块与基板上的电路的电连接。然而，若固化性树脂膜未适当地贴附在半导体晶圆的凸块形成面上，则凸块从固化性树脂膜中的突出变得不充分，或固化性树脂膜的一部分残留在凸块的头顶部上。如此，残留在凸块的头顶部上的固化性树脂膜与其他区域的固化性树脂膜同样被固化，成为与保护膜具有相同组成的固化物(在本说明书中，有时将其称为“保护膜残留物”)。如此一来，由于凸块的头顶部为凸块与基板上的电路的电连接区域，因此当保护膜残留物的量较多时，会阻碍带保护膜的半导体芯片的凸块与基板上的电路的电连接。

即，在带保护膜的半导体芯片装载在基板上之前的阶段，要求在带保护膜的半导体芯片的凸块的头顶部上不存在保护膜残留物或保护膜残留物的量较少。

如此，作为能够抑制保护膜残留物残留在凸块的头顶部上的方法，公开了一种使用固化性树脂膜(粘着粘合剂层)的方法，所述固化性树脂含有重均分子量为2万～100万的高分子量成分、热固性树脂、固化促进剂、光反应性单体及光引发剂(参考专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开第5515811号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

通常，当凸块的表面存在许多微小的凹凸，并在凸块的头顶部上存在保护膜残留物时，保护膜残留物可能会侵入至凸块表面的凹部内。因此，难以评价凸块的头顶部上的保护膜残留物的量。