[发明专利]氮化物半导体装置

权利要求书

1.一种氮化物半导体装置，具备：

基板，具有相互背对的第一主面以及第二主面；

具有第一导电型的第一氮化物半导体层，被设置在所述第一主面的上方；

阻挡层，被设置在所述第一氮化物半导体层的上方；

第一开口部，贯通所述阻挡层而延伸到所述第一氮化物半导体层；

电子传输层以及电子供给层，从所述基板侧被依次设置，并且所述电子传输层以及电子供给层具有位于所述阻挡层的上方的部分和沿着所述第一开口部的内表面的部分；

栅极电极，在所述电子供给层的上方并且以覆盖所述第一开口部的方式而被设置；

第二开口部，在从所述栅极电极隔开的位置，贯通所述电子供给层以及所述电子传输层而延伸到所述阻挡层；

源极电极，被设置在所述第二开口部，与所述阻挡层连接；以及

漏极电极，被设置在所述第二主面侧，

在对所述第一主面进行平面视的情况下，

(i)所述第一开口部以及所述源极电极，在规定的方向上分别为细长状，

(ii)所述第一开口部的在长度方向上的第一端部的轮廓的至少一部分，呈沿着圆弧或椭圆弧的形状。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体装置，

所述栅极电极具备：

金属膜；以及

具有第二导电型的半导体层，位于所述金属膜与所述电子供给层之间，所述第二导电型的极性与所述第一导电型的极性不同。

3.如权利要求1所述的氮化物半导体装置，

所述第一开口部具有：

两个直线部，在对所述第一主面进行平面视的情况下，所述两个直线部沿着所述长度方向以直线状延伸，且所述源极电极位于所述两个直线部之间；以及

第一连接部，是将所述两个直线部的端部彼此连接的所述第一端部。

4.如权利要求3所述的氮化物半导体装置，

所述第一主面，具有沿着所述长度方向倾斜的偏移角。

5.如权利要求4所述的氮化物半导体装置，

所述第一端部是在所述第一开口部的长度方向上的两端部中，基于所述第一主面的偏移角而倾斜的上端侧的端部，

在对所述第一主面进行平面视的情况下，

(a)所述栅极电极包围所述源极电极，

(b)第一距离是沿着所述长度方向的第一虚拟直线上的距离，并且是所述源极电极侧的所述第一连接部的轮廓与所述源极电极侧的所述栅极电极的轮廓之间的距离，

(c)第二距离是在与所述第一虚拟直线正交的第二虚拟直线上的距离，并且是所述源极电极侧的所述直线部的轮廓与所述源极电极侧的所述栅极电极的轮廓之间的距离，

所述第一距离比所述第二距离长。

6.如权利要求5所述的氮化物半导体装置，

所述第一开口部还具有第二连接部，该第二连接部是与所述第一连接部相反一侧的所述两个直线部的端部彼此连接的连接部，

所述第二连接部的轮廓的至少一部分，呈沿着圆弧或椭圆弧的形状。

7.如权利要求6所述的氮化物半导体装置，

第三距离是在所述第一虚拟直线上的距离，并且是所述源极电极侧的所述第二连接部的轮廓与所述源极电极侧的所述栅极电极的轮廓之间的距离，所述第三距离为所述第一距离以下。

8.如权利要求7所述的氮化物半导体装置，

所述第三距离与所述第二距离相等。

9.如权利要求1至5的任一项所述的氮化物半导体装置，

所述第一开口部的在长度方向上的与第一端部相反一侧的第二端部的轮廓的至少一部分，呈沿着圆弧或椭圆弧的形状。

10.如权利要求1至5的任一项所述的氮化物半导体装置，

所述氮化物半导体装置，具备多个所述源极电极以及多个所述第一开口部，

多个所述第一开口部的沿着所述长度方向上延伸的部分与多个所述源极电极，在与所述长度方向正交的方向上分别交替地排列设置。