[发明专利]氮化物半导体装置

说明书

氮化物半导体装置(100)具备：基板(110)；漂移层(120)；阻挡层(130)；栅极开口部(140)，贯通阻挡层(130)；被依次设置的电子传输层(150)及电子供给层(151)，具有位于阻挡层(130)的上方的部分和沿着栅极开口部(140)的内表面的部分；栅极电极(170)，以覆盖栅极开口部(140)的方式而被设置；源极开口部(160)，贯通电子传输层(150)及电子供给层(151)；源极电极(180S)，被设置在源极开口部(160)；以及漏极电极(180D)，在平面视的情况下，栅极开口部(140)的长度方向上的端部(143)的轮廓(143a)的至少一部分，呈沿着圆弧或椭圆弧的形状。

技术领域

本公开涉及氮化物半导体装置。

背景技术

GaN(氮化镓)等的氮化物半导体是能带隙大的宽禁带半导体，其特征为电击穿电场很大，电子的饱和漂移速度比GaAs(砷化镓)半导体或者Si(硅)半导体等大。氮化物半导体有利于高输出化且高耐压化，所以对使用氮化物半导体的功率晶体管进行了研究开发。

例如，在专利文献1公开了被形成为GaN基层叠体的半导体装置。在专利文献1所述的半导体装置具备：再生长层，位于覆盖被设置在GaN基层叠体的开口部的位置；以及栅极电极，沿着再生长层位于再生长层上。再生长层包括沟道，以既获得沟道的高迁移率，又获得纵方向的耐压及栅极电极端的耐压性能为目标。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1∶日本特开2011－138916号公报

然而，所述以往的氮化物半导体装置在开口部的端部中栅极－源极之间产生漏电流，进而出现半导体装置的耐压降低这样的问题。

发明内容

于是，本公开提供一种低漏电流，并且高耐压的氮化物半导体装置。

为了解决所述课题，本公开的一个方式涉及的氮化物半导体装置，具备：基板，具有相互背对的第一主面以及第二主面；具有第一导电型的第一氮化物半导体层，被设置在所述第一主面的上方；阻挡层，被设置在所述第一氮化物半导体层的上方；第一开口部，贯通所述阻挡层而延伸到所述第一氮化物半导体层；电子传输层以及电子供给层，从所述基板侧被依次设置，并且所述电子传输层以及电子供给层具有位于所述阻挡层的上方的部分和沿着所述第一开口部的内表面的部分；栅极电极，在所述电子供给层的上方并且以覆盖所述第一开口部的方式而被设置；第二开口部，在从所述栅极电极隔开的位置，贯通所述电子供给层以及所述电子传输层而延伸到所述阻挡层；源极电极，被设置在所述第二开口部，与所述阻挡层连接；以及漏极电极，被设置在所述第二主面侧，在对所述第一主面进行平面视的情况下，(i)所述第一开口部以及所述源极电极，在规定的方向上分别为细长状，(ii)所述第一开口部的在长度方向上的第一端部的轮廓的至少一部分，呈沿着圆弧或椭圆弧的形状。

通过本公开，能够提供一种低漏电流，并且高耐压的氮化物半导体装置。

附图说明

图1是实施方式1涉及的氮化物半导体装置的截面图。

图2是示出实施方式1涉及的氮化物半导体装置的平面布置的平面图。

图3是示出图2的III区域中的栅极开口部的端部的形状的放大平面图。

图4是示出实施方式1的变形例涉及的栅极开口部的端部的形状的放大平面图。

图5是示出实施方式2涉及的氮化物半导体装置的平面布置的平面图。

图6是示出图5的VI区域中的栅极开口部的端部的形状的放大平面图。

图7是示出实施方式3涉及的氮化物半导体装置的平面布置的平面图。