[发明专利]流化床式反应容器及三氯硅烷的制造方法

说明书

本发明提供一种能抑制反应容器内壁的腐蚀/损耗的流化床式反应容器及三氯硅烷的制造方法。流化床式反应容器使金属硅粉体与氯化氢气体进行反应而生成三氯硅烷。具备立设于容器主体的底面即分散盘(11)上的多个喷出喷嘴(20)。在喷出喷嘴(20)上形成有将氯化氢气体向侧方吹出的气体喷出开口(22a)。在多个喷出喷嘴(20)中的与容器主体的外壁(10a)邻接的第一喷出喷嘴(20a)上，以不会向外壁(10a)侧吹出氯化氢气体的方式形成有气体喷出开口(22a)。

技术领域

本发明涉及一种具备多个喷出喷嘴的流化床方式反应容器及三氯硅烷的制造方法。

背景技术

例如专利文献1中公开了一种三氯硅烷制造用反应装置，用以使金属硅粉体(Si)与氯化氢气体(HCl)进行反应来制造三氯硅烷(SiHCl3)。该三氯硅烷制造用反应装置100包括流化床式反应容器，如图4的(a)所示，具备：装置主体101，供给金属硅粉体末；以及多个氯化氢气体喷出用部件110，从装置主体101的底部101a导入氯化氢气体，且将此氯化氢气体喷出。氯化氢气体喷出用部件110如图5的(a)(b)所示，由如下部件构成：在长边方向上延伸的轴部111、以及在相对于轴部111的长边方向而交叉的方向上延伸的平面形状为六角形的头部112。在轴部111的内部形成有气体供给孔111a，该气体供给孔111a与在头部112中向六个方向放射状地延伸的喷出孔112a连通。喷出孔112a在头部112的外表面露出。

由此，氯化氢气体喷出用部件110通过气体供给孔111a及喷出孔112a，向装置主体101的内部喷出氯化氢气体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公开专利公报“特开2009-120468号(2009年6月6日公开)”

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在上述现有的三氯硅烷制造用反应装置100中，如图4的(b)所示，氯化氢气体喷出用部件110立设于所述装置主体101的底部101a。因此，所有氯化氢气体喷出用部件110将氯化氢气体沿水平方向放射状地喷出。

因此，从位于外侧的氯化氢气体喷出用部件110向装置主体101的侧壁喷出氯化氢气体。由此，存在装置主体101的侧壁腐蚀/损耗的可能性。

本发明的一方式是鉴于所述现有的问题点而形成，其目的在于提供一种能够抑制反应容器内壁的腐蚀/损耗的流化床式反应容器及三氯硅烷的制造方法。

解决问题的技术手段

本发明的一方式中的流化床式反应容器是为了解决所述课题，使金属硅粉体与氯化氢气体进行反应而生成三氯硅烷的流化床式反应容器，其特征在于，具备立设于容器主体的底面的多个喷出喷嘴，在所述喷出喷嘴上形成有将所述氯化氢气体向侧方吹出的气体喷出开口，并且在所述多个喷出喷嘴中的与所述容器主体的外壁邻接的第一喷出喷嘴上，以不向所述外壁侧吹出氯化氢气体的方式形成有所述气体喷出开口。

本发明的一方式的三氯硅烷的制造方法为了解决所述课题，而特征在于包括如下步骤：使用所述流化床式反应容器使金属硅粉体与氯化氢气体进行反应。

发明的效果

根据本发明的一方式，发挥如下效果，即，提供一种能抑制反应容器内壁的腐蚀/损耗的流化床式反应容器及三氯硅烷的制造方法。

附图说明

图1的(a)是表示立设于本发明的实施方式的流化床式反应容器的底面上的多个喷出喷嘴的俯视图，(b)是表示与容器主体的外壁邻接的第一喷出喷嘴的气体喷出开口的开口方向的剖视图，(c)是表示所述第一喷出喷嘴的内侧所存在的第二喷出喷嘴的气体喷出开口的开口方向的剖视图。

图2是表示所述流化床式反应容器的整体结构的剖视图。