[发明专利]用于转移发光结构的方法在审
申请号: | 201880075025.4 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN111373541A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 马里恩·沃尔博特;文森特·贝克斯;F·雷维;M·易卜拉欣;F·德莫罗 | 申请(专利权)人: | 法国原子能源和替代能源委员会;艾利迪公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/08;H01L33/10;H01L33/46;H01L33/60 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 罗婷婷;林蕾 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 转移 发光 结构 方法 | ||
1.一种用于转移电致发光结构(100)的方法,所述电致发光结构形成在支撑基板(110)的被称为正面(110a)的面上并且经由轨道(130)彼此分隔开,所述方法包括以下连续步骤:
a)形成设有第一区域(310)的中间层(300),所述第一区域由第一材料制成,其覆盖所述电致发光结构(100)的被称为电致发光面(100a)的面,并且反射壁被形成在沟槽(320)中,所述沟槽(320)在所述轨道(130)上方并且将所述第一区域(310)分隔开,所述壁包括覆盖所述沟槽(320)的至少侧面的金属膜(320a)以及覆盖所述金属膜(320a)并填充在所述沟槽中的第二材料(320b);
b)组装所述中间层(300)与临时基板(400)的被称为临时面(400a)的面;
c)至少部分地移除所述支撑基板(110);
d)将所述电致发光结构(100)转移至所述容纳基板(500)的被称为容纳面(500a)的面上,
所述第一材料和第二材料中的至少一种材料旨在提供所述中间层(300)与所述临时面(400a)之间的粘合。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二材料的热膨胀系数与所述支撑基板的热膨胀系数之间的相对差小于20%。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述第一材料和第二材料中的一种材料或另一种材料包括热塑性聚合物,所述热塑性聚合物旨在提供所述中间层与所述临时面之间的粘合。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述第一材料和第二材料中的另一种材料包括热固性聚合物。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,所述第一材料和第二材料是聚酰亚胺。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中,所述第一材料和第二材料的玻璃转变温度在150℃与450℃之间,有利地在250℃与450℃之间。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中,步骤b)包括以下步骤:
b1)使所述中间层(300)与所述临时面(400a)接触,
b2)以低于500℃,有利地低于300℃的温度,对由此形成的组装件进行热处理。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中,步骤a)包括以下步骤:
a1)形成所述第一区域(310),
a2)形成所述金属膜(320a),包括沉积金属层,所述金属层覆盖所述第一区域(310)以及所述沟槽(320)的至少侧面,
a3)用所述第二材料(320b)填充所述沟槽(320)。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,步骤a1)包括形成由所述第一材料制成的第一层,接着在所述层中限定所述第一区域(310),有利地限定所述第一区域(310)包括光刻步骤。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其中,步骤a3)包括形成第二层,所述第二层由第二材料(320b)制成,其覆盖所述第一区域(310)并填充所述沟槽(320)。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法,其中,步骤c)包括通过磨蚀执行的机械减薄。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法,其中,步骤c)之后是在所述电致发光结构(100)的与所述电致发光面相对的面上形成金属触点的步骤c1),所述容纳面(500a)进一步包括互连构件,所述互连构件旨在与所述金属触点配合,并由此对所述电致发光结构(100)中的每一电致发光结构单独地寻址。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的