[发明专利]用于转移发光结构的方法

说明书

本发明涉及一种用于将发光结构(100)转移到容纳基板(400)的被称为接纳侧(400a)的一侧上的方法。接纳侧进一步设置有互连构件(510)，该互连构件旨在对这些结构中的每一结构单独地寻址。这些发光结构最初被形成在支撑基板上，并经由路径分隔开。由此，在本发明中提出与路径对准地形成反射壁，反射壁包括支撑聚合物(第二聚合物)，该支撑聚合物在其侧面支撑金属膜。反射壁的这种布置使得有可能降低在根据本发明的转移方法期间在所述发光结构上施加的应力。此外，根据本发明，反射壁可以被形成在搁置在支撑基板上的所有电致发光结构上。

技术领域

本发明涉及一种用于转移电致发光结构的方法。具体来说，本发明涉及一种用于转移电致发光结构的方法，该方法包括预先形成反射壁，这些反射壁旨在使电致发光结构彼此光学隔离。

现有技术

现有技术中已知的一种用于转移形成在支撑基板的所谓的正面上并经由轨道彼此分隔开的电致发光结构的方法包括以下步骤：

a)在轨道的正上方形成金属壁，尤其是具有反射表面的厚金属壁，的步骤，所述金属壁使电致发光结构彼此定界；

b)组装支撑基板与临时基板的步骤；

c)至少部分地减薄支撑基板的步骤；

d)将电致发光结构转移到容纳基板上的步骤，所述基板包括互连构件，该互连结构旨在对电致发光结构中的每一电致发光结构单独地寻址。

在步骤d)结束时，电致发光结构通过其被称为背面的一个面与互连构件接触。

电致发光结构可以包括诸发光二极管，这些发光二极管能够通过其被称为自由面并且与背面相对的一个面发射光辐射。

发光二极管可以是2D发光二极管，即平面发光二极管，并且因此包括半导体薄膜的叠层。

替代地，发光二极管可以是各自包括垂直于自由面的多个电致发光奈米线的3D发光二极管。

然而，此种现有技术的已知制造方法并不令人满意。

这是因为金属壁的形成通常涉及例如通过电沉积来沉积厚的金属物质层，这会产生高应力，该高应力可导致电致发光结构的劣化或甚至破坏。

例如，电致发光结构的劣化可能导致在例如其自由面处出现裂缝。

因此，本发明的一个目的是提出一种用于转移由金属壁定界的电致发光结构的方法，所述金属壁的形成使得易于使所述结构劣化的应力很少或没有。

本发明的另一目的是提出一种用来转移电致发光结构的方法，在转移所述结构之前，并且因此有利地在设置有多个电致发光结构的基板上，为电致发光结构产生金属壁。

本发明的公开

本发明的目的至少部分地利用一种用于转移电致发光结构的方法来实现，所述电致发光结构形成在支撑基板的被称为正面的面上并且经由轨道彼此分隔开，该方法包括以下连续步骤：

a)形成设有第一区域的中间层，所述第一区域由第一材料制成，其覆盖所述电致发光结构的被称为电致发光面的面，并且反射壁被形成在沟槽中，所述沟槽在轨道上方并且将所述第一区域分隔开，所述壁包括覆盖所述沟槽的至少侧面的金属膜以及覆盖金属膜并填充在所述沟槽中的第二材料；

b)组装所述中间层与临时基板的被称为临时面的面；

c)至少部分地移除所述支撑基板；

d)将所述电致发光结构转移至所述容纳基板的被称为容纳面的面上，

第一及第二中的一者或另一者旨在提供中间层与临时面之间的粘合。

根据一个实施例，第二材料的热膨胀系数与支撑基板的热膨胀系数之间的相对差小于20％。