[发明专利]衬底保持器、衬底支撑件和将衬底夹持至夹持系统的方法

说明书

一种将衬底(W)夹持至夹持系统的方法，所述方法包括以下步骤：提供衬底保持器(200)，所述衬底保持器包括：主体(210)，具有第一主体表面(212)和第二主体表面(214)，其中所述第一主体表面和第二主体表面在所述主体的相反侧上；和多个第一突节(220a，220b)，从所述第一主体表面突出，其中每个第一突节具有配置成支撑所述衬底的远端表面；提供用于支撑所述衬底保持器的支撑表面(300)；提供多个第二突节(240)，所述多个第二突节用于通过所述支撑表面与多个第二突节的远端表面接触而将所述衬底保持器支撑在所述支撑表面上；生成第一力以将所述衬底保持器吸引至所述支撑表面；将所述衬底放置在所述衬底保持器上，以使得所述衬底接触所述多个第一突节；生成第二力以将所述衬底吸引至所述衬底保持器；和控制在释放步骤中的所述第一力和第二力中的至少一个，以使得所述主体在第二突节之间变形，从而在第一子集的多个第一突节的远端表面和衬底之间产生间隙(225，226)，并使得所述衬底被支撑在第二子集的所述多个第一突节的远端表面上。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年11月20日提交的欧洲申请17202627.0的优先权，该欧洲申请通过引用全文并入本文。

技术领域

本发明涉及一种将衬底夹持至夹持系统的方法、一种用于光刻设备中并配置成在衬底支撑件上支撑衬底的衬底保持器、以及一种衬底支撑件。

背景技术

光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备能够例如用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也经常称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

随着半导体制造过程不断进步，几十年来，电路元件的尺寸已经不断地减小，同时每一个器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体行业正在追寻能够创建越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了在衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)辐射(其波长在4nm至20nm的范围内，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可用于在衬底上形成比使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备更小的特征。

在光刻设备中，衬底被保持在衬底保持器上。期望的是，衬底尽可能地平坦以最小化由于与完美平坦度的任何偏差而可能带来的成像误差。一个困难之处在于，当衬底最初被放置到衬底保持器上时，衬底可能是不平坦的。一旦处于衬底保持器上，衬底中便具有平面内应力，并且支撑衬底的衬底保持器的突节弹性变形。衬底中的这些平面内剪切应力导致衬底中的平面内变形，所述变形自身导致重叠误差。

发明内容

本发明的目的是提供一种方法、一种衬底保持器和一种包括衬底保持器的衬底支撑件，其中采取措施以促进放置于该衬底保持器上的衬底松弛。

在本发明的实施例中，提供了一种将衬底夹持至夹持系统的方法，所述方法包括以下步骤：提供衬底保持器，所述衬底保持器包括：主体，具有第一主体表面和第二主体表面，其中所述第一主体表面和第二主体表面在所述主体的相反侧上；和多个第一突节，从所述第一主体表面突出，其中每个第一突节具有配置成支撑所述衬底的远端表面；提供用于支撑所述衬底保持器的支撑表面；提供多个第二突节，所述多个第二突节用于通过所述支撑表面与多个第二突节的远端表面接触而将所述衬底保持器支撑在所述支撑表面上；生成第一力以将所述衬底保持器吸引至所述支撑表面；将所述衬底放置在所述衬底保持器上，以使得所述衬底接触所述多个第一突节；生成第二力以将所述衬底吸引至所述衬底保持器；和在释放步骤中控制所述第一力和第二力中的至少一个，以使得所述主体在第二突节之间变形，从而在第一子集的多个第一突节的远端表面和衬底之间产生间隙，并使得所述衬底被支撑在第二子集的所述多个第一突节的远端表面上。