[发明专利]电压保护电路、收发器及电压保护的方法

权利要求书

1.一种电压保护电路，包含：

第一金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其具有与第一节点耦合的栅极端子、与第二节点耦合的源极端子，和与第三节点耦合的漏极端子，所述第二节点经配置以接收所述电压保护电路的输入电压；

第二金属氧化物半导体场效应晶体管，其具有与所述第一节点耦合的栅极端子、与所述第二节点耦合的源极端子，和与第四节点耦合的漏极端子；

第一电流镜，其与所述第三节点耦合，并且配置为与第五节点、第六节点和调节器电源耦合；以及

第二电流镜，其与所述第四节点耦合，并且配置为与所述第五节点、所述第六节点和地节点耦合，

其中：当所述输入电压小于所述第一节点处的参考电压时，所述第一电流镜经配置以将所述第五节点和所述第六节点处的电压拉向所述参考电压，且当所述输入电压大于所述第一节点处的所述参考电压时，所述第二电流镜经配置以将所述第五节点和所述第六节点处的电压拉向所述参考电压。

2.根据权利要求1所述的电压保护电路，其中所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管是n型金属氧化物半导体场效应晶体管，并且所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管是p型金属氧化物半导体场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的电压保护电路，其中所述第一电流镜包含：

第一p型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOS），其具有与所述第三节点耦合的栅极端子、配置为与所述调节器电源耦合的源极端子，和与所述第三节点耦合的漏极端子；

第二p型金属氧化物半导体场效应晶体管，其具有与所述第三节点耦合的栅极端子、配置为与所述调节器电源耦合的源极端子，和配置为与所述第六节点耦合的漏极端子；以及

第三p型金属氧化物半导体场效应晶体管，其具有与所述第三节点耦合的栅极端子、配置为与所述调节器电源耦合的源极端子，和配置为与所述第五节点耦合的漏极端子。

4.根据权利要求3所述的电压保护电路，其中所述第二电流镜包含：

第一n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS），其具有与所述第四节点耦合的栅极端子、配置为与所述地节点耦合的源极端子，和与所述第四节点耦合的漏极端子；

第二n型金属氧化物半导体场效应晶体管，其具有与所述第四节点耦合的栅极端子、配置为与所述地节点耦合的源极端子，和配置为与所述第五节点耦合的漏极端子；以及

第三n型金属氧化物半导体场效应晶体管，其具有与所述第四节点耦合的栅极端子、配置为与所述地节点耦合的源极端子，和配置为与所述第六节点耦合的漏极端子。

5.根据权利要求4所述的电压保护电路，其中所述第一电流镜配置为经由第一多个电阻器与所述调节器电源耦合，所述第一多个电阻器具有位于所述第一p型金属氧化物半导体场效应晶体管、所述第二p型金属氧化物半导体场效应晶体管、所述第三p型金属氧化物半导体场效应晶体管和所述调节器电源中的每一个的所述源极端子之间的至少一个电阻器，并且其中所述第二电流镜配置为经由第二多个电阻器与所述地节点耦合，所述第二多个电阻器具有位于所述第一n型金属氧化物半导体场效应晶体管、所述第二n型金属氧化物半导体场效应晶体管、所述第三n型金属氧化物半导体场效应晶体管和所述地节点中的每一个的所述源极端子之间的至少一个电阻器。

6.根据权利要求1所述的电压保护电路，进一步包含耦合在所述第三节点与输入节点之间的电阻器，其中所述输入节点处的电压等于所述第五节点和所述第六节点处的电压。

7.根据权利要求1所述的电压保护电路，进一步包含缓冲器，所述缓冲器具有配置为接收所述参考电压的第一输入端、与所述第一节点耦合的输出端，和与所述输出端耦合的第二输入端。

8.根据权利要求1所述的电压保护电路，其中当所述第二节点处的电压相对于所述第一节点处的电压足够使所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管或所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管中的至少一个导通时，所述第一电流镜或所述第二电流镜中的至少一个将所述第五节点和所述第六节点上的电压拉向所述第一节点处的所述电压。