[发明专利]电压保护电路、收发器及电压保护的方法有效

专利信息
申请号: 201880075879.2 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN111386509B 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: V·拉维奴图拉;S·B·丘吉尔;M·A·哈姆雷特;E·鲁德恩 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26;H03K17/08
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电压 保护 电路 收发 方法
【说明书】:

一种电压保护电路(300),包括:第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(308),其具有与第一节点(384)耦合的栅极端子、与第二节点(382)耦合的源极端子,和与第三节点(388)耦合的漏极端子;第二金属氧化物半导体场效应晶体管(310),其具有与第一节点(384)耦合的栅极端子、与第二节点(382)耦合的源极端子,和与第四节点(386)耦合的漏极端子;第一电流镜(304),其与第三节点(388)耦合,并且配置为与第五节点(378)、第六节点(380)和调节器电源(392)耦合;以及第二电流镜(306),其与第四节点(386)耦合,并且配置为与第五节点(378)、第六节点(380)和地节点(390)耦合。

技术领域

本申请实施例涉及电压保护领域,且特别涉及电压保护电路、收发器及电压保护的方法。

背景技术

发明涉及电压保护电路。共模电压可能损害电气装置的可靠性和/或操作。业界需要一种设备来保护电气装置免受共模电压的损害。

发明内容

本申请实施例提提供一种电压保护电路、收发器及电压保护的方法,其能够保护电气装置免受共模电压的损害。

一种电压保护电路,包括:第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其具有与第一节点耦合的栅极端子、与第二节点耦合的源极端子,和与第三节点耦合的漏极端子;第二金属氧化物半导体场效应晶体管,其具有与第一节点耦合的栅极端子、与第二节点耦合的源极端子,和与第四节点耦合的漏极端子;第一电流镜,其与第三节点耦合。该电路配置为与第五节点、第六节点、调节器电源和第二电流镜耦合,该第二电流镜与第四节点耦合耦合,并且配置为与第五节点、第六节点和地节点耦合。

在其他方面,收发器包括与第一节点和第二节点耦合的发射器,以及与第一节点和第二节点耦合的接收器。该接收器包括电压保护电路,其包括:第一金属氧化物半导体场效应晶体管,其具有与第三节点耦合的栅极端子、与第四节点耦合的源极端子,和与第五节点耦合的漏极端子;第二金属氧化物半导体场效应晶体管,其具有与第三节点耦合的栅极端子、与第四节点耦合的源极端子,和与第六节点耦合的漏极端子;第一电流镜,其与第五节点、第七节点和第八节点耦合,并且配置为与调节器电源耦合;以及第二电流镜,其与第六节点、第七节点、第八节点耦合,并且配置为与地节点耦合。

在其他方面,一种电压保护方法包括:接收包括明显不同于参考电压的共模电压的信号;将共模电压提供给金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端子,并且将参考电压提供给金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极端子;当共模电压的值和参考电压的值之间的差值超过阈值时,在金属氧化物半导体场效应晶体管的源极端子和漏极端子之间导电以导通电流镜;使用电流镜将共模电压的值拉向参考电压的值;以及当所述共模电压不再明显不同于所述参考电压时,停止在所述金属氧化物半导体场效应晶体管的所述源极端子和所述漏极端子之间导电。

附图说明

图1示出了说明性电气装置测试环境的框图。

图2示出了说明性通用异步收发器(UART)的框图。

图3示出了说明性接收器的示意图。

图4示出了说明性发射器的示意图。

图5是接收器中共模电压保护的说明性方法的流程图。

图6是发射器中共模电压保护的说明性方法的流程图。

具体实施方式

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