[发明专利]具有探针后可配置度的半导体装置在审
申请号: | 201880075965.3 | 申请日: | 2018-10-02 |
公开(公告)号: | CN111418062A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | J·E·戴维斯;K·G·杜斯曼;J·P·莱特;W·L·博耶 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L23/00;H01L23/528;H01L27/02;H01L25/065 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 探针 配置 半导体 装置 | ||
一种半导体装置组合件包含衬底及经耦合到所述衬底的裸片。所述裸片包含:第一接触垫,其经电耦合到所述裸片上的第一电路,所述第一电路包含至少一个有源电路元件;第二接触垫,其经电耦合到所述裸片上的第二电路,所述第二电路仅包含无源电路元件;及电镀垫,其将所述第一接触垫的至少一部分电耦合到所述第二接触垫的至少一部分。所述衬底包含经电耦合到所述裸片上的所述电镀垫的衬底接点。
本申请案含有与詹姆斯E.戴维斯(James E.Davis)、约翰B.普赛(John B.Pusey)、尹志平(Zhiping Yin)及凯文G.杜斯曼(Kevin G.Duesman)的标题为“具有封装级可配置度的半导体装置(SEMICONDUCTOR DEVICES WITH PACKAGE-LEVEL CONFIG URABILITY)”的同时申请的美国专利申请案相关的标的物。相关申请案(其揭示内容以引用的方式并入本文中)经转让给美光科技有限公司(Micron Technology,Inc.),且由代理人档案编号第010829-9242.US00号识别。
技术领域
本发明大体上涉及半导体装置,且更特定来说,涉及具有探针后可配置度的半导体装置。
背景技术
封装式半导体裸片(包含存储器芯片、微处理器芯片及成像器芯片)通常包含安装于衬底上且围封于塑料保护罩中或由导热盖覆盖的一或多个半导体裸片。裸片可包含有源电路(例如,提供功能构件,例如存储器单元、处理器电路及/或成像器装置)及/或无源构件(例如,电容器、电阻器等)以及电连接到所述电路的接合垫。接合垫可电连接到保护罩外部的端子以允许裸片连接到更高级电路。
例如,图1是半导体装置组合件100的简化部分横截面视图,其包含以叠瓦(shingled)方式堆叠于衬底101上且由囊封剂170覆盖的多个半导体裸片102及103。每一裸片包含一或多个接触垫(例如接触垫122及123)以提供到对应集成电路(例如电路162及163)的连接能力。接触垫122及123可通过线接合131及132(展示为呈菊链配置)连接到衬底接点121以经由焊球151(通过通孔152)提供到电路162及163的连接能力。
在一些半导体裸片的情况下,各种接合垫可连接到裸片中的多个电路。例如,在NAND存储器裸片中,单个接合垫可连接到有源驱动器电路及无源ESD保护电路(例如,包含一或多个电容器)两者。ESD保护电路可经设计以提供所要量的电容以保护单个有源驱动器电路。在包含具有并联连接的有源驱动器电路的多个此类NAND存储器裸片的半导体装置组合件中(例如,其中来自每一NAND存储器裸片的对应接合垫连接到相同外部端子),由来自并联连接的每一裸片的ESD保护电路提供的过量电容可使装置性能降级。此可通过针对不同封装密度设计不同NAND存储器裸片而解决(例如,NAND存储器裸片经配置以单独封装,具有较少电容式ESD保护电路的不同NAND存储器裸片经配置以封装为两个的堆叠,具有甚至更少电容式ESD保护电路的又一NAND存储器裸片经配置以封装为四个的堆叠等),但针对每一可能封装配置设计及制造多个不同半导体裸片是极其昂贵的。因此,需要可经配置为取决于封装裸片的配置而具有不同量的ESD保护的半导体裸片。
附图说明
图1是半导体装置组合件的简化部分横截面视图,其包含堆叠于衬底上的多个半导体裸片。
图2是半导体装置组合件的简化示意图。
图3是根据本发明的实施例的半导体装置的简化示意图。
图4是根据本发明的实施例的半导体装置组合件的简化示意图。
图5是根据本发明的实施例的半导体装置的简化示意图。
图6到9是根据本发明的实施例的半导体装置组合件的简化示意图。
图10及11是根据本发明的实施例的半导体装置的简化部分横截面视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的